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隨著美國存儲半導(dǎo)體公司美光成功開發(fā)出第5代高帶寬存儲器“HBM3E 12層”產(chǎn)品，存儲器企業(yè)之間的領(lǐng)導(dǎo)地位之爭預(yù)計將變得更加激烈。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士9月14日消息，美光近日在其網(wǎng)站上宣布，正在開發(fā)36GB（千兆字節(jié)）HBM3E 12層產(chǎn)品，并正在向客戶供應(yīng)樣品。
HBM 是一種通過垂直連接多個 DRAM 創(chuàng)新性地提高現(xiàn)有 DRAM 數(shù)據(jù)處理速度的產(chǎn)品，主要安裝在 AI 芯片中使用的圖形處理單元 (GPU) 中。最重要的是，由于HBM是一種高價值產(chǎn)品，其價格比普通DRAM高出4至5倍，存儲器公司之間爭奪市場的競爭正在加劇。
根據(jù)市場研究公司數(shù)據(jù)，去年的HBM市場份額為SK海力士53%、三星電子38%、美光9%。
美光科技的目標(biāo)是明年獲得 20% 的 HBM 市場份額。
隨著美光也進軍HBM3E 12層市場，SK海力士、三星電子等內(nèi)存企業(yè)的戰(zhàn)場將越來越激烈。
目前市場主流是HBM3和HBM3E 8層，但預(yù)計NVIDIA的后繼產(chǎn)品中將大量采用12層產(chǎn)品。
Trend Force預(yù)計，隨著H200的出貨，今年HBM3E的消費份額將增至60%以上，而NVIDIA未來推出的Blackwell Ultra將配備8個HBM3E 12層堆棧。
據(jù)此，預(yù)計明年HBM3E中12層產(chǎn)品的比例將達到40%，并可能進一步增加。
看來SK海力士不僅在HBM3E 8層產(chǎn)品上暫時占據(jù)上風(fēng)，在12層產(chǎn)品上也暫時占據(jù)上風(fēng)。
去年 3 月，SK 海力士成為第一家開始向 NVIDIA 供應(yīng) HBM3E 8 層的內(nèi)存公司。
后續(xù)產(chǎn)品HBM3E 12層已完成主要客戶的樣品供貨，計劃本季度開始量產(chǎn)，第四季度向客戶供貨。
繼8層產(chǎn)品之后，三星電子也通過認(rèn)證12層產(chǎn)品來加速量產(chǎn)。
