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三星電子正在與晶圓代工業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電聯(lián)手，共同開發(fā)高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)和服務(wù)。三星將從第6代HBM（HBM4）開始與臺(tái)積電合作，計(jì)劃于明年下半年量產(chǎn)。三星決定毫不猶豫地與代工競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手合作，實(shí)現(xiàn) NVIDIA 和 Google 等大客戶所需的“定制功能”。三星電子可以提供內(nèi)存、代工和尖端封裝，因此可以提供HBM4相關(guān)的“綜合服務(wù)”，但有分析稱，三星電子已將與臺(tái)積電的合作擺上桌面，以爭(zhēng)取更多客戶。
臺(tái)積電生態(tài)系統(tǒng)和聯(lián)盟管理負(fù)責(zé)人 Dan Kochpacharin ?9月5 日在臺(tái)北舉辦的半導(dǎo)體展覽會(huì)‘Semicon Taiwan 2024’上表示，“我們正在與三星電子共同開發(fā)無緩沖器 HBM”。這是臺(tái)積電與三星電子首次提及HBM合作。
無緩沖器 HBM 是一種消除“緩沖器”的產(chǎn)品，可防止電氣問題并分配電壓。三星電子計(jì)劃從 HBM4 開始應(yīng)用，計(jì)劃于 2025 年底量產(chǎn)。其優(yōu)勢(shì)在于與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，能效提高40%，延遲降低10%。 Kochpacharin Head 表示：“隨著內(nèi)存制造工藝變得更加復(fù)雜，與合作伙伴的合作也變得更加重要。”
三星電子之所以與臺(tái)積電聯(lián)手，是因?yàn)閺腍BM4開始，工藝難度迅速增加，必須體現(xiàn)各種客戶的需求。從HBM4開始，制造工藝與以前有顯著不同。這是因?yàn)樽鳛?HBM 大腦的邏輯芯片是由代工公司制造的，而不是存儲(chǔ)器公司。不經(jīng)營(yíng)代工業(yè)務(wù)的SK海力士正在與臺(tái)積電共同開發(fā)關(guān)于HBM4的芯片。
連接不同芯片以使它們作為一個(gè)芯片平穩(wěn)運(yùn)行的尖端封裝方法也發(fā)生了變化。此前，圖形處理單元（GPU）和HBM是水平放置的，但很可能會(huì)采用將HBM放置在GPU之上的“3D方法”。
三星電子的基本戰(zhàn)略是提供“交鑰匙解決方案”，涵蓋 DRAM 生產(chǎn)、代工廠邏輯芯片的大規(guī)模生產(chǎn)以及尖端封裝。據(jù)了解，該公司也在考慮與臺(tái)積電合作的方式，重點(diǎn)關(guān)注希望通過臺(tái)積電量產(chǎn)邏輯芯片的客戶。
三星電子的目標(biāo)是通過同時(shí)推行交鑰匙戰(zhàn)略并與臺(tái)積電合作，重新獲得 HBM4 市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。一位半導(dǎo)體行業(yè)官員表示，“如果三星要在 HBM 領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，就需要進(jìn)行超越新技術(shù)開發(fā)的非常規(guī)嘗試。”
