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半導(dǎo)體專家、三星和SK海力士前高管崔振石因技術(shù)泄露罪名被捕。
半導(dǎo)體專家、三星電子和SK海力士前高管崔振石（66歲）因涉嫌泄露三星電子關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)20納米DRAM工藝技術(shù)數(shù)據(jù)而被捕。此前，崔振石于去年6月被捕并被釋放，罪名是竊取三星電子半導(dǎo)體工廠藍(lán)圖并建立20納米DRAM半導(dǎo)體的“三星電子克隆工廠”。
首爾中央地方法院負(fù)責(zé)逮捕令的金美京院長9月5日對崔振石和三星電子前高級研究員吳某進行了逮捕前審訊(逮捕令實質(zhì)審查)，發(fā)現(xiàn)涉嫌違反《反不正當(dāng)競爭法》和《商業(yè)秘密保護法》，并表示：“他們被簽發(fā)了逮捕令?！?/p>
他們涉嫌將生產(chǎn) 20 納米半導(dǎo)體所需的 600 步工藝的關(guān)鍵信息（包括溫度和壓力）泄露給某國。首爾地方警察廳工業(yè)技術(shù)安全調(diào)查組正在調(diào)查這些指控，因為這些指控完全超越了三星電子與 20 納米 DRAM 半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝相關(guān)的專有技術(shù)。
崔振石曾任三星電子董事總經(jīng)理、SK海力士副總裁。此前，他于去年6月因涉嫌竊取三星電子半導(dǎo)體工廠藍(lán)圖、設(shè)立20納米DRAM半導(dǎo)體“三星電子克隆工廠”而被捕，并于去年11月獲得保釋。
警方于1月15日向吳先生申請逮捕令，但法院以“需要保障辯護權(quán)”為由駁回了逮捕令。
隨后，警方在進行補充調(diào)查后，于2日再次通過首爾中央地方檢察廳信息技術(shù)犯罪搜查部（安東健科長）申請對吳某的逮捕令。此時，還申請了對崔振石的逮捕令。考慮到犯罪的嚴(yán)重性和損害的規(guī)模，檢方親自旁聽了逮捕令審查，并解釋了刑事指控。
