4998
/00 前言/
前面介紹的主要是可見、紫外、紅外波段的光電探測器。從能量角度來說，由于紫外到近紅外，入射光子能量(0.1eV~10 eV)和材料帶隙基本是一個水平，所以探測原理基本以直接探測為主。而對于X射線和高能電子，其能量在KeV及其以上量級，此時光的粒子性更強，而波動性減弱。從光學設計上講，難以通過類似可見波段的光學設計，實現(xiàn)透鏡聚焦；從探測器件上講，光電作用過程更加復雜，且需要考慮高能輻照損傷問題。
/01 X射線探測原理/
自倫琴于1895年發(fā)現(xiàn)X射線以來, X射線就以其較高的能量、較強的穿透力等一系列特性得到廣泛應用。基于X射線影像和檢測設備是一種利用X射線的穿透特性，并基于X射線與物質(zhì)的相互作用，將人體組織或工件內(nèi)部的結(jié)構(gòu)信息、缺陷信息、物質(zhì)信息等轉(zhuǎn)化為圖像的技術(shù)。它廣泛應用于醫(yī)療健康、工業(yè)無損探測等領域，在疾病診斷、缺陷檢測等方面發(fā)揮著重要作用。近年來，隨著科技的進步，X射線影像設備不斷發(fā)展，朝著更高空間分辨率、更低X射線劑量、更低成本的方向發(fā)展?；赬射線的成像、探測等設備主要基于X射線的穿透作用、差別吸收、感光作用和熒光作用來實現(xiàn)特定功能。此外由于X射線的高能特性，其與物質(zhì)相互作用時會產(chǎn)生各種離化作用，從而帶來輻照損傷等問題，因此低劑量是X射線探測和成像的一大目標，而輻照防護是X射線相關(guān)應用中必須考慮的一大問題。
由于X射線的波動性弱，其基于光學的聚焦、調(diào)制等較為困難，因此成像系統(tǒng)相比可見紅外光而言更加簡單，乃至整個系統(tǒng)沒有中間的光學部件，只有一個X射線源和探測器。這時X射線探測器成了X射線成像系統(tǒng)中最為重要的一環(huán)，對成像的好壞起決定性作用。
根據(jù)X射線探測器的工作原理，X射線探測器可以分為直接探測和間接探測器。
- 直接探測器:直接探測器利用X射線與材料的相互作用直接產(chǎn)生電信號。
- 間接探測器:間接探測器利用X射線與材料的相互作用產(chǎn)生光信號，再將光信號轉(zhuǎn)換為電信號，比如閃爍體探測器。
X射線探測器目前正向著更高靈敏度，更大陣列，更高空間分辨率等方向發(fā)展。直接X射線探測器具有空間分辨率更高、響應速度更快、響應度更強等優(yōu)勢，目前得到廣泛的研究。間接探測器雖然和直接探測器相比，沒有性能上的優(yōu)勢，但是其具備成本低，可大面積，易柔性設計等優(yōu)勢，在醫(yī)療、工業(yè)等領域具有廣泛應用。
從微觀物理過程上說，X射線的探測主要還是基于光和物質(zhì)的相互作用，不過有別于紫外可見波段，紫外可見波段主要基于內(nèi)光電效應為主，通過光生載流子和后續(xù)的載流子分離實現(xiàn)光電信號的轉(zhuǎn)換。X射線波段由于其入射光子的高能量特性和強的粒子性，使得其與物質(zhì)作用后會產(chǎn)生一系列復雜的效應，其中對光電信號轉(zhuǎn)換有貢獻的主要包括：內(nèi)光電效應、外光電效應、康普頓散射、瑞利散射、電子對效應等。
X射線與物質(zhì)相互作用后的系列效應中對光電信號產(chǎn)生有貢獻的包括：
(i) 瑞利散射（彈性散射）：X 射線光子與整個原子碰撞，導致可以忽略的能量和動量轉(zhuǎn)移，因此不參與放射增敏效應。
(ii) 光電效應：當 X 射線能量低于幾百 keV 時，光電效應占主導地位。在這個過程中，X射線的直接吸收會導致外光電效應產(chǎn)生電子。隨后，空穴被來自更高軌道的一個電子填補，釋放出 X 射線熒光。如果 X 射線熒光光子被另一個束縛電子吸收而不是從原子發(fā)射，則會產(chǎn)生一個俄歇電子。外光電發(fā)射的電子在材料中會產(chǎn)生電子-電子相互作用，從而產(chǎn)生倍增效應。
(iii) 康普頓散射（非彈性相互作用）：X 射線光子被外層殼電子散射，光子的一部分能量轉(zhuǎn)移到反沖電子上，當入射光子能量在幾百 keV 到幾 MeV 范圍內(nèi)時最為突出。
(iv)電子對效應: X射線光子在原子核附近轉(zhuǎn)化為電子和正電子，稱為對偶產(chǎn)生。
X射線與物質(zhì)的相互作用和光電效應這一部分相當復雜，涉及一系列的粒子-電子，電子-電子，光子-電子作用過程，本質(zhì)上是連鎖的光子-電子-聲子多體作用過程，由于高能量的屬性還會伴隨一系列的激發(fā)、倍增、離化過程。
/ 02 X射線探測器件/
X射線探測器按照不同的方式可以進行不同的分類，比如按照原理分可以分為直接型和間接型，按照陣列構(gòu)型分為單片集成和混合集成。直接X射線探測器根據(jù)所用的探測材料，還可以進一步分為非晶硒、硅基、鈣鈦礦基等。按照像素設計，X射線可以分為PN結(jié)型，SDD型，光電導型。
從器件規(guī)模上說，X射線探測器可以分為單點探測器和成像陣列。單點X射線探測器 經(jīng)常用于需要快速檢測的應用，例如安全檢查。X 射線成像陣列 經(jīng)常用于需要高分辨率圖像的應用，例如醫(yī)學成像。
從探測原理上說，閃爍體X射線探測器的工作原理是將X射線的光子能量轉(zhuǎn)換為可見光信號，再利用光電探測器將可見光信號轉(zhuǎn)換成電信號。閃爍體材料是閃爍體X射線探測器中的關(guān)鍵部件，其性能直接影響著探測器的靈敏度、空間分辨率、響應時間和能量分辨能力。
閃爍體是一類吸收高能粒子或射線后能夠發(fā)光的功能材料，可以分為有機閃爍體和無機閃爍體。有機閃爍體的密度和有效原子序數(shù)小、光產(chǎn)額低 、能 量 分 辨 率 和 X 射 線 吸 收 效 率 等 特 性 通 常 較差。無機閃爍體按形態(tài)可以分為單晶閃爍體、粉末閃爍體、陶瓷閃爍體和玻璃閃爍體。一般在間接型X射線探測器中使用的閃爍體通常需要具備高密度、較大的有效原子序數(shù)、發(fā)光主波長與圖像傳感器的響應匹配良好、快衰減、高光產(chǎn)額、耐輻射及穩(wěn)定的物化性質(zhì)等特性[2]。因此一般間接型X射線探測器為無機閃爍體。
近年來，隨著材料科學技術(shù)的發(fā)展，人們開始研究新型閃爍體材料，例如鈣鈦礦閃爍體、納米閃爍體等。新型閃爍體X射線探測器的發(fā)展主要向著更高光產(chǎn)率，更短decaytime、更好能量分辨率和更高空間分辨率方向發(fā)展。
三星公司推出一種directly deposited CsI scintillators技術(shù)用于平板式 X 射線探測器，直接沉積 CsI 閃爍體可以減少光學散射，從而提高空間分辨率。此外直接沉積工藝也有望提高集成度，簡化系統(tǒng)，降低成本。
雖然閃爍體探測器近年來獲得了諸多進展，但是轉(zhuǎn)換層內(nèi)閃爍光的橫向擴散問題、像素光串擾問題、空間分辨率問題, 閃爍體壽命問題、仍然是限制間接型 X 射線探測器的性能等的關(guān)鍵因素。而直接型探測器由于去掉了閃爍體層，直接用感光像素層接受X射線信號，因此有望實現(xiàn)高靈敏度和高分辨率 X 射線探測。
直接型 X 射線探測器是基于半導體器件的探測器。直接通過半導體材料實現(xiàn)X射線信號-電信號的轉(zhuǎn)換過程。與基于閃爍體的間接探測相比，半導體可以直接將 X 射線光子轉(zhuǎn)換為電荷載流子，具有更高的信號線性度、更低噪聲、更小光學串擾、更高空間分辨率、更高光能利用率、更快響應速度等優(yōu)勢，從原理上就能實現(xiàn)更高性能的Xray探測。直接X射線探測器包括摻雜鋰(Si(Li)或Ge(Li))半導體探測器 、硅漂移探測器(SDD)、硅基PIN結(jié)探測器、非晶硒探測器等，目前也有寬禁帶半導體X射線探測器、鈣鈦礦X射線探測器等直接型X射線探測器在研究。直接型X射線探測器雖然有望獲得高性能，但是其輻照損傷問題確實在器件設計時需要著重考慮的問題，這一塊兒在后面將會展開討論。
/ 03 X射線探測陣列/
X射線的成像需要用到陣列型探測器。X射線成像經(jīng)歷了攝影膠片階段，氣體電離式階段、到現(xiàn)在的數(shù)字探測器階段（又分為閃爍體探測器，半導體探測器）。早期的X射線探測陣列主要采用熒光屏幕或放射底片進行成像，但這些方法存在靈敏度不高、分辨率低以及輻射劑量大的問題。后來出現(xiàn)了氣體電離室探測方式，20世紀初，閃爍平板探測器的出現(xiàn)標志著X射線探測技術(shù)的進入數(shù)字探測陣列時代。閃爍探測器利用閃爍晶體或閃爍液體來測量X射線的能量和位置，提高了探測器的靈敏度和分辨率。后來直接探測性體半導體探測器的出現(xiàn)使得X射線探測器具有更高的能量分辨率和空間分辨率，在醫(yī)學影像、工業(yè)檢測等領域得到廣泛應用。
數(shù)字式X射線探測器可以按照原理分為間接型和直接型，按照形態(tài)分為TFT平板探測器、CCD探測器、CMOS探測器。按照感光像素和讀出電路的集成方式又可以分為單片集成和混合集成方式。1990年，美國施樂公司首次提出PIN結(jié)構(gòu)的非晶硅(a-Si)光電二極管陣列結(jié)合二維非晶硅TFT(薄膜晶體管)陣列探測器實現(xiàn)方式開啟了間接型X射線平板探測器的研究歷程。隨后出現(xiàn)了各種基于TFT,CMOS,CCD的直接型和間接型數(shù)字探測陣列。
下圖展示了CCD型和TFT型X射線探測器。a中是基于電荷耦合器件的光學透鏡耦合間接轉(zhuǎn)換數(shù)字化射線成像系統(tǒng)示意圖。入射 X 射線被閃爍體轉(zhuǎn)換成紫外-可見光，然后通過光學透鏡聚焦并導向電荷耦合器件陣列，最終轉(zhuǎn)換為電信號。b圖是基于平板探測器內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖，根據(jù)X射線能量轉(zhuǎn)換方式可分為間接型平板探測器（左）和直接型平板探測器（右）。對于間接型，其與a類似，穿過閃爍體（紫色）的 X 射線被轉(zhuǎn)換成紫外-可見光，然后由像素化的非晶硅光電二極管進一步轉(zhuǎn)換成電荷，最終借助TFT讀出電路讀出；而直接轉(zhuǎn)換探測器中，X 射線光子直接轉(zhuǎn)換成電荷，再由TFT讀出電路讀出。
根據(jù)上面的圖，可以看出從讀出電路上區(qū)分，X射線探測器可以分為TFT平板式、CCD式、CMOS式。TFT平板式X射線探測器多為大的陣列面，像素大（近百微米量級），靶面大（幾十cm量級）因此可以借鑒顯示領域的TFT工藝實現(xiàn)LAE（large area electronics）級別的讀出電路，實現(xiàn)低成本。CCD式和CMOS式適用于對讀出速度要求更高，靶面小，性能要求更高的工業(yè)檢測、半導體檢測等領域。
TFT讀出電路在顯示領域的發(fā)展是比較成熟的。無論是LCD還是現(xiàn)在比較多的OLED都用到TFT作為顯示像素的驅(qū)動電路，TFT尤其適合這類非硅基的LAE領域電子器件的讀出電路，可以在保證性能前提下實現(xiàn)低成本、輕量化設計。值得一提的是TFT面板工藝是低溫工藝（一般小于400℃），因此在其上制備像素只能是低溫工藝兼容的，比如非晶硅、非晶硒等。
顯示領域目前TFT的主流基礎包括早期的非晶硅，近年推出的IGZO，以及LTPS，LTPO等技術(shù)，從性能上說，LTPS和IGZO相比非晶硅具有更好的速度性能。
TFT常用材料體系
目前顯示領域TFT技術(shù)正在不斷發(fā)展，出現(xiàn)更多具有更有性能的TFT技術(shù)，而TFT平板X射線探測器也可以借鑒顯示領域的技術(shù)進步，推出更高性能、更低成本、柔性、輕量化的TFT平板探測器設計。
從讀出電路上區(qū)分，X射線探測器有單光子計數(shù)工作模式、電流積分工作模式、及其混合讀出模式。單光子計數(shù)型像素探測器主要基于過閾值判斷和數(shù)字積分原理。每個光子產(chǎn)生的電荷信號在像素單元電路中被低噪聲放大, 并與對應能量閾值的電平信號進行比較. 當信號超過閾值電平時, 電路數(shù)字邏輯執(zhí)行計數(shù)累加功能. 該方法的主要優(yōu)點是：具有前端數(shù)字化帶來的噪聲抑制功能，此外計數(shù)方式可以實現(xiàn)更高動態(tài)范圍、更高刷新率。電流積分讀出則類似目前的CIS讀出電路，通過電容積分并轉(zhuǎn)換為電壓信號，由ADC轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號讀出。
/04 X射線探測的輻照損傷問題/
X射線是一種波長極短(0.001—10 nm)、能量很強的電磁波。從X射線本身的特點出發(fā)，其對探測器的需求相比可見光探測器更加苛刻，尤其是對其抗輻照特性。
圖片其中輻照損傷問題是可見光中不用考慮，但是在高能粒子探測器中老生常談的問題。輻照損傷主要包括三大效應：TID效應，單粒子效應，位移損傷效應。輻照損傷在高能粒子（包括光子、電子、質(zhì)子等）與材料相互作用時產(chǎn)生，對傳感器而言，輻照損傷會導致界面、晶格的損傷，從而導致暗電流增加，器件性能波動，乃至器件失效。
以FET器件為例，輻照會導致柵氧層積累電荷從而導致Vth移動；勢壘層產(chǎn)生各種trap或電荷累積導致轉(zhuǎn)移曲線變化從而Vth移動，SS惡化；溝道層產(chǎn)生缺陷，器件遷移率下降，從而影響gm，ft等參數(shù)。
/ 05 X射線相關(guān)應用/
1. 半導體檢測和工業(yè)檢測
由于X射線的穿透深度比較強，此外X射線檢測具有無損、快速、靈敏等優(yōu)點，因此基于X射線成像在半導體檢測和工業(yè)檢測中有很多應用。在半導體檢測中，X射線可以用于失效分析和結(jié)構(gòu)檢測，在工藝制造中，可以檢測半導體材料和器件的缺陷，例如晶體缺陷、摻雜缺陷、工藝缺陷等；在后道封裝中，可用于檢測封裝缺陷，例如焊點開裂。在工業(yè)檢測中，X射線可以用于檢測各種材料和產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和缺陷，例如鑄件、焊縫、管道、木材、食品等。X 射線檢測可以幫助企業(yè)提高產(chǎn)品質(zhì)量，確保產(chǎn)品安全。
雖然X射線目前主要在半導體應用中用于后道封裝工序，但是由于其穿透性強，無損等特性，并且隨著半導體芯片由平面向著3D復雜堆疊方向發(fā)展，研究人員也在探索其用于前道半導體制造中的可能性。小角X射線散射（SAXS）是一種利用X射線與材料中原子或分子的散射來表征材料微觀結(jié)構(gòu)的技術(shù)。SAXS 在半導體檢測中具有重要的應用價值，主要包括晶體缺陷檢測、薄膜表征、顆粒物分析、 應力分析、 相變分析等。CD-SAXS 具有較深的穿透深度，可以對復雜的層疊結(jié)構(gòu)進行無損測量，無需將薄膜橫切。CD-SAXS 技術(shù)成為少數(shù)幾種能夠測量復雜 3DVLSI 堆疊結(jié)構(gòu)（無需將薄膜橫切）的方法之一，但是由于測量時間長，目前還很少在生產(chǎn)線上使用。
2.材料表征
X射線的穿透能力強，不同密度的物體對X射線能量的吸收不同，因此除了直接成像，還?？梢杂糜诓牧媳碚骱徒Y(jié)構(gòu)分析。從原理上說，X射線和物質(zhì)的相互作用有別于紫外可見波段，紫外可見波段主要基于內(nèi)光電效應為主，通過光生載流子和后續(xù)的載流子分離實現(xiàn)光電信號的轉(zhuǎn)換。X射線波段由于其入射光子的高能量特性和強的粒子性，使得其與物質(zhì)作用后會產(chǎn)生一系列復雜的效應，包括吸收（內(nèi)光電、外光電）、散射（彈性、非彈性）、穿透、二次電子激發(fā)等過程，對應不同的過程有不同的X射線表征技術(shù)和成像技術(shù)。
3. 同步輻射裝置
X射線像素探測器是先進光源線站的關(guān)鍵探測器。同步輻射裝置對探測器有相當高的性能要求，基于像素探測器所開展的同步輻射實驗方法以X射線衍射、小角散射、大分子晶體學等為代表，這些實驗都要求探測器具有探測面積大、空間分辨率高、量子效率高、動態(tài)范圍大、信號事例率高等性能。間接探測的方式有低空間分辨率、響應速度慢、讀出噪聲大、動態(tài)范圍小、刷新率低等問題，難以用于同步輻射場景。因此一般是用于同步輻射裝置的是高性能的直接X射線探測器，這部分之前一直是卡脖子技術(shù)，但是國內(nèi)目前也取得了很多進展。
4.醫(yī)用CT
CT即計算機斷層掃描，是一種利用X射線對人體進行掃描成像的醫(yī)學影像技術(shù)。CT成像可以提供人體橫斷面、矢狀面和冠狀面的高分辨率圖像，幫助醫(yī)生診斷疾病。CT成像的基本原理是利用X射線對人體進行不同角度的掃描，并利用計算機對采集到的數(shù)據(jù)進行處理，重建人體斷層圖像。近日，美國醫(yī)學物理學家協(xié)會候任主席、約翰·霍普金斯大學醫(yī)學院放射學教授兼醫(yī)學物理學家Mahadevappa Mahesh接受《Radiology Business》采訪時，概述了RSNA 2023討論的醫(yī)學成像六大發(fā)展趨勢。其中提到光子計數(shù)CT、錐形束CT、CT灌注成像等CT成像技術(shù)。
5.診療一體化
除了用于CT成像外，X射線在診療一體化領域引起了廣泛關(guān)注。這類納米系統(tǒng)能夠利用 X 射線能量進行診斷和治療，具有潛在的臨床應用價值。通過 X 射線與納米系統(tǒng)的相互作用機制，實現(xiàn) X 射線激活納米系統(tǒng)在腫瘤診療、光動力治療、放射增敏等方面的應用。通過設計特殊的納米材料系統(tǒng)，使得材料能夠吸收 X 射線能量并將其轉(zhuǎn)化為其他形式的能量，例如光、熱或化學能。這些能量可以用于診斷或治療疾病。比如：
- 腫瘤診療：X 射線激活納米系統(tǒng)可以用于腫瘤的診斷和治療。例如，納米造影劑可以增強腫瘤的 X 射線成像對比度，幫助醫(yī)生更準確地診斷腫瘤；納米藥物可以利用 X 射線能量殺死腫瘤細胞。
- 光動力治療：X 射線可以激活納米光敏劑，產(chǎn)生單線態(tài)氧等活性物質(zhì)，殺死腫瘤細胞。
- 放射增敏：X 射線激活納米系統(tǒng)可以增強腫瘤細胞對放射線的敏感性，提高放射治療的效果。
“X-ray-activated nanosystems for theranostic applications”一文詳細綜述X射線在診療一體化這方面的應用。下圖為X射線激活納米系統(tǒng)的示意圖，納米系統(tǒng)可以將吸收到的 X 射線能量轉(zhuǎn)換為可見光，同時X射線輻照引起放射增敏效應。光電效應和康普頓散射產(chǎn)生的電子可以被靶點的分子捕獲，形成具有細胞毒性的自由基，從而實現(xiàn)放射增敏。
/06 X射線新型探測器的相關(guān)研究（序）/
X射線探測器一方面向著更高性能發(fā)展，比如近年來很多低劑量探測，高速X射線探測的研究，另一方面向著多功能的研究，比如柔性X射線探測器，光場X射線成像等。
除了硅、非晶硒等傳統(tǒng)的X射線探測器外，人們還在研究其他材料在X射線直接探測器中的應用，比如鈣鈦礦X射線探測器有望實現(xiàn)低劑量、低成本、柔性，寬禁帶X射線探測器有輻照特性好等優(yōu)勢。
最近，liu xiaogang等人提出了一種X射線光場成像的新方式，利用像素化彩色轉(zhuǎn)換進行X射線到可見光的轉(zhuǎn)換實現(xiàn)光場檢測。該方法使用圖案化的鈣鈦礦納米晶體陣列將X射線轉(zhuǎn)換為不同方向的光，然后使用彩色 CCD 相機檢測這些光。通過分析光的顏色和強度，可以重建 X 射線的入射方向和強度，從而獲得光場信息，實現(xiàn)X光的三維相襯成像。
柔性X射線探測器也是目前的一大研究熱點,大曲面上制造大面積、靈活的X射線探測器可以實現(xiàn)對物體的直接三維成像，由于和成像物體更加貼合，其成像質(zhì)量也可以得以提高。此外柔性S射線探測器具備更高靈活性、輕便性、更低成本，有望用于小型醫(yī)療設備，乃至POCT中。
參考資料：
1.X射線探測器的研究現(xiàn)狀與展望，侯玉欣。
2.間接式 X 射線探測器的核心器件及其耦合方式
3.X-ray-activated nanosystems for theranostic applications
4.Frame-level Redundancy Scrubbing Technique for SRAM-based FPGAs
5.https://faculty.engineering.asu.edu/kalarickal/research/
6.https://www.osti.gov/servlets/purl/1115539
7.https://easii-ic.com/en/radiation-tests/
8.Recent Development in X-Ray Imaging Technology: Future and Challenges
9.https://www.bakerhughes.com/cn/waygate-technologies/industrial-radiography-and-ct/
10.innovative-technologies-and-components/dynamic-41100-detector
11.https://www.top-unistar.com/product/279-cn.html
12.http://www.hzimaging.com/CoreTechnology/info_itemid_346_lcid_40.html#More
13.https://sydortechnologies.com/direct-detectors/sydor-mm-pad/?gad_source=1&gclid=CjwKCAiA0bWvBhBjEiwAtEsoW2XicuseFGcvSmzjmgMJ0FqyCHvPvwCaC7fMM6zIRFdhCIWkWf0ZvhoCHdkQAvD_BwE
14.https://www.amptek.com/products/x-ray-detectors/x-ray-detector-selection-guide
Yi, L., Hou, B., Zhao, H. et al. X-ray-to-visible light-field detection through pixelated colour conversion. Nature 618, 281–286 (2023). https://doi.org/10.1038/s41586-023-05978-w
15.https://wellmanxray.com/blog/everything-you-need-to-know-about-flat-panel-detector/
16.寬禁帶半導體光電導X射線探測器的制備與性能研究_徐樂杰
17.李貞杰, 張杰, 李木槿, 等. X射線像素探測器研究進展. 科學通報, 2022, 67: 3808–3822
18ITER徑向X射線相機探測器的實驗研究_李超智
19.https://analyticalscience.wiley.com/content/news-do/flexible-x-ray-detector-images-3d-objects-ultra-high-resolution
20.Ou, X., Qin, X., Huang, B. et al. High-resolution X-ray luminescence extension imaging. Nature 590, 410–415 (2021). https://doi.org/10.1038/s41586-021-03251-6
21.X-ray sensitivity of photoconductors: application to stabilized a-Se
22.Recent Developments of Amorphous SeleniumBased X-Ray Detectors: A Review
23.Photon Counting and Energy Discriminating X-Ray Detectors - Benefits and Applications
24.X-ray imaging detectors for synchrotron and XFEL sources
25.https://www.researchgate.net/figure/Comparison-between-indirect-left-and-direct-right-detection-of-X-rays-1_fig1_323907723
26.Orji, N.G., Badaroglu, M., Barnes, B.M. et al. Metrology for the next generation of semiconductor devices. Nat Electron 1, 532–547 (2018). https://doi.org/10.1038/s41928-018-0150-9
27.https://doi.org/10.1201/9781315222035
28.https://zhuanlan.zhihu.com/p/629965558
（說明1：由于涉及的參考文獻和圖片比較多，如有遺漏還請諒解）
