三星、美光兩家存儲大廠擴產(chǎn)！

近期，行業(yè)消息顯示，為了應(yīng)對人工智能（AI）熱潮帶動存儲芯片需求提升，三星電子及美光均擴產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)能。三星方面，決定最快將于2024年第三季重啟建設(shè)新平澤工廠（P5）基礎(chǔ)建設(shè)。美光則正在美國愛達荷州博伊西的總部建設(shè)HBM測試產(chǎn)線與量產(chǎn)線，并首次考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，以滿足人工智能熱潮帶來的更多需求。

三星重啟新平澤工廠（P5）

外媒消息顯示，三星電子決定重啟新平澤工廠（P5）基礎(chǔ)建設(shè)，預計最快將于2024第三季重啟建設(shè)，完工時間推估為2027年4月，不過實際投產(chǎn)時間可能更早。

此前報道顯示，該廠于1月底停工，三星彼時表示“這是協(xié)調(diào)進度的臨時措施”，“投資尚未到位”。三星P5廠此番恢復建設(shè)的決定，行業(yè)多方解讀，更多認為是為了應(yīng)對人工智能（AI）熱潮帶動存儲芯片需求提升，公司進一步擴大產(chǎn)能。

據(jù)悉，三星P5工廠是一座擁有8個潔凈室的大型晶圓廠，而 P1 至 P4 則只有4個潔凈室。這使得三星電子滿足市場需求的大規(guī)模生產(chǎn)能力成為可能。但是目前，關(guān)于P5的具體用途還尚未有官方消息披露。

據(jù)韓媒報道，業(yè)界消息稱，三星電子于5月30日召開了董事會內(nèi)部管理委員會會議，提交并通過了有關(guān)P5基礎(chǔ)建設(shè)的議程。管理委員會由首席執(zhí)行官兼DX部門負責人Jong-hee Han擔任主席，成員包括MX業(yè)務(wù)部門負責人Noh Tae-moon、管理支持總監(jiān)Park Hak-gyu和存儲業(yè)務(wù)部門負責人Lee Jeong-bae。

三星公司擔任副總裁兼DRAM產(chǎn)品和技術(shù)主管Hwang Sang-joong 今年三月曾表示，預計今年HBM產(chǎn)量將是去年的2.9倍。同時，該公司公布了HBM路線圖，預計2026年HBM出貨量將是2023年產(chǎn)量的13.8倍，到2028年，HBM年產(chǎn)量將進一步增至2023年水平的23.1倍。

美光在美建設(shè)HBM測試產(chǎn)線與量產(chǎn)線

6月19日，多家媒體消息顯示，美光正在美國愛達荷州博伊西的總部建設(shè)HBM測試產(chǎn)線與量產(chǎn)線，并首次考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，以滿足人工智能熱潮帶來的更多需求。據(jù)悉，美光博伊西晶圓廠將于2025年上線投運，2026年啟動DRAM生產(chǎn)。

美光此前宣布，計劃在一年后將其高帶寬內(nèi)存 (HBM) 市場份額從目前的“中個位數(shù)”提高到20%左右。截止目前，美光已在多地擴建存儲產(chǎn)能。

4月末，美光科技正式在其官網(wǎng)宣布，獲得美國《芯片與科學法案》61億美元政府補助。這些撥款以及額外的州和地方激勵措施將支持美光在愛達荷州建設(shè)一個領(lǐng)先的DRAM存儲器制造工廠，并在紐約州克萊鎮(zhèn)建設(shè)兩座先進DRAM存儲器制造工廠。

位于愛達荷州的工廠已于2023年10月開工。美光表示，該廠預計將于 2025年上線并投入運營，2026年正式開始DRAM的生產(chǎn)，DRAM產(chǎn)量也將隨著行業(yè)需求的增長而不斷增加。紐約項目則正在進行初步設(shè)計、實地研究和包括NEPA在內(nèi)的許可申請。該座晶圓廠的建設(shè)預計將于2025年開始，并于2028年投產(chǎn)并貢獻產(chǎn)量，并根據(jù)未來十年的市場需求而增加。新聞稿表示，美國政府的補貼將支持美光計劃到2030年為美國國內(nèi)領(lǐng)先的存儲器制造，投資約500億美元的總資本支出。

今年5月日媒《日刊工業(yè)新聞》消息稱，美光將斥資6000~8000億日元在日本廣島興建一座采用極紫外光(EUV)微影制程的先進DRAM芯片廠，預計2026年初動工、最快2027年底完工。此前，日本已批準多達1920億日元補貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。

據(jù)悉，美光在廣島的新工廠位于現(xiàn)有的Fab 15附近，專注于DRAM生產(chǎn)，不包括后端封裝和測試，并將重點放在HBM產(chǎn)品上。

馬來西亞建廠方面，2023年10月，美光在馬來西亞檳城的第二座智能(尖端組裝與測試)工廠落成開業(yè)，該工廠初期投入了10億美元。在第一座工廠建成后，美光再加碼10億美元擴建第二座智慧廠房，將工廠建筑面積擴充至150萬平方尺。