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    • 三菱電機(jī):8吋SiC工廠(chǎng)明年投產(chǎn)
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總投資超50億!該8吋SiC產(chǎn)線(xiàn)將提前投產(chǎn)

06/04 08:40
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5月31日,意法半導(dǎo)體宣布將投資近400億新建8吋SiC工廠(chǎng)(.點(diǎn)這里.);幾乎同時(shí),三菱電機(jī)也公布了旗下8吋SiC工廠(chǎng)的相關(guān)動(dòng)態(tài),宣布將提前投產(chǎn)。

三菱電機(jī):8吋SiC工廠(chǎng)明年投產(chǎn)

5 月 29 日,三菱電機(jī)舉辦了 IR Day 2024,公布了旗下8吋SiC相關(guān)進(jìn)展及戰(zhàn)略目標(biāo)等——

據(jù)悉,三菱電機(jī)位于日本熊本縣新建的8英寸SiC工廠(chǎng)的竣工時(shí)間將定為2025年9月,投產(chǎn)時(shí)間將從2026年4月提前至2025年11月;該新工廠(chǎng)共有六層,總建筑面積約4.2萬(wàn)平方米,將主要負(fù)責(zé)8英寸 SiC 晶圓前端工藝。

在產(chǎn)能與銷(xiāo)售目標(biāo)方面,三菱電機(jī)目標(biāo)是到2030財(cái)年將功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中的SiC銷(xiāo)售比例提高到30%以上(新工廠(chǎng)的SiC產(chǎn)品將通過(guò)與Nexperia的聯(lián)盟擴(kuò)大銷(xiāo)售渠道);三菱電機(jī)還將在全工序段引入自動(dòng)輸送系統(tǒng),打造生產(chǎn)效率高的生產(chǎn)線(xiàn),目標(biāo)在2026財(cái)年將SiC產(chǎn)能提升5倍(與2022財(cái)年相比)。

據(jù)“行家說(shuō)三代半”此前報(bào)道,2023年3月中旬,三菱電機(jī)宣布計(jì)劃在5年內(nèi)投資約1000億日元(約51億元人民幣)建設(shè)一個(gè)8英寸SiC工廠(chǎng),并加強(qiáng)相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施;2024年4月,該工廠(chǎng)正式開(kāi)工建設(shè)。

值得一提的是,該工廠(chǎng)已經(jīng)“綁定”了Coherent(前 II-VI )碳化硅襯底產(chǎn)能——2023年5月,三菱電機(jī)與Coherent簽署了一份諒解備忘錄,Coherent將為三菱電機(jī)新工廠(chǎng)供應(yīng)8英寸n型4H SiC襯底,雙方共同致力于擴(kuò)大8英寸SiC器件的生產(chǎn)規(guī)模。

上海碳化硅大會(huì):聚焦8吋SiC最新技術(shù)

看起來(lái),8英寸SiC的建設(shè)和發(fā)展比預(yù)期更快,為了更好地推動(dòng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,6月14日,行家說(shuō)將在上海召開(kāi)“碳化硅大會(huì)”。

英飛凌、芯聯(lián)集成、三安、天岳、合盛、南砂晶圓、普興、希科、科友半導(dǎo)體、大族半導(dǎo)體、晶微亦微等眾多企業(yè)已確認(rèn)出席,并將圍繞8英寸碳化硅量產(chǎn)技術(shù)等主題,發(fā)布最新的技術(shù)報(bào)告和展示最新產(chǎn)品方案,報(bào)名參會(huì)掃描下方二維碼:

上述碳化硅企業(yè)的8英寸進(jìn)展如下:

?英飛凌:馬來(lái)西亞8英寸碳化硅晶圓廠(chǎng)一期工程將于2024年第三季度完工,計(jì)劃下半年開(kāi)始生產(chǎn)SiC器件;

?芯聯(lián)集成:今年4月8英寸碳化硅晶圓工程批已經(jīng)順利下線(xiàn);

?安半導(dǎo)體:湖南項(xiàng)目二期計(jì)劃今年三季度投產(chǎn),將全部導(dǎo)入國(guó)際領(lǐng)先的8吋生產(chǎn)設(shè)備和工藝;

?天岳先進(jìn):8英寸碳化硅襯底已實(shí)現(xiàn)批量化銷(xiāo)售;

?合盛硅業(yè):計(jì)劃今年二季度末實(shí)現(xiàn)8英寸襯底片量產(chǎn);

?科友半導(dǎo)體:突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),8英寸SiC中試線(xiàn)平均長(zhǎng)晶良率已突破50%,晶體厚度15mm以上;

?南砂晶圓:正在布局8英寸碳化硅單晶和襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,而且實(shí)現(xiàn)了8吋SiC技術(shù)新突破,電阻率不均勻性已接近6英寸襯底;

?普興電子:解決了8寸襯底應(yīng)力大、易開(kāi)裂、外延均勻性及缺陷難控制等難點(diǎn)。

???瓢雽?dǎo)體:實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)8英寸SiC襯底上同質(zhì)外延生長(zhǎng),正式具備8英寸SiC外延片量產(chǎn)能力。

會(huì)議臨近,請(qǐng)大家抓緊時(shí)間報(bào)名,“上海碳化硅大會(huì)”期待大家的參與。

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