01、 簡(jiǎn)介
開關(guān)電源常見的三種電流檢測(cè)方法是:使用精密電阻檢流,使用功率電感的直流電阻(DCR)檢流,以及使用高邊或低邊MOSFET Rds(on)檢流。但是,根據(jù)檢流電阻放置的位置不同,所檢測(cè)的電流類型也不同,總結(jié)如下表所示:
此文,將介紹精密電阻檢流方法...
02、精密電阻檢流的原理
上圖所示,在降壓電路的電流檢測(cè)方法中,在功率電感和負(fù)載之間串聯(lián)精密電阻進(jìn)行檢流的方法,是比較簡(jiǎn)單的。通過(guò)計(jì)算檢流電阻RSENSE兩端的電壓,再除以該電阻的阻值,即可得出負(fù)載電流的大小。但是,很明顯這種方法將會(huì)在檢流電阻RSENSE上產(chǎn)生功率損耗。為了得到更高的檢流精度,在滿載時(shí),檢流電阻上的壓降應(yīng)該在100mV左右。針對(duì)輸出是3.3V,最大負(fù)載電流1A的電源,滿載時(shí)的輸出功率是3.3W,此時(shí)的損耗是100mV*1A=0.1W,占輸出功率的0.1W/3.3W=3.03%。不難看出,檢流電阻壓降在輸出電壓上的占比越高的情況下,這種檢流方法的功率損耗也越大,這便是這種檢流方法最大的缺點(diǎn)。而且,這種檢流的結(jié)果可能有很高的噪聲,原因是頂部 MOSFET 的導(dǎo)通邊沿具有很強(qiáng)的開關(guān)電壓振蕩。所以這種檢測(cè)方式一般很少使用。取而代之的是,可以利用電感元件的直流電阻(DCR)檢測(cè)電流,而不使用額外的RSENSE電阻。
03、檢流電阻該放置在哪里?/
開關(guān)電源功率電感上的電流有電感峰值電流(連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最大值)、電感谷值電流(連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值)和電感平均電流,這三種電流參數(shù)類型都可以是被檢測(cè)的對(duì)象,而檢流電阻的位置和開關(guān)電源的架構(gòu)決定了要檢測(cè)的電流參數(shù)類型。同時(shí),檢流電阻的位置又會(huì)影響功率損耗、噪聲計(jì)算以及檢測(cè)電阻監(jiān)控電路看到的共模電壓。對(duì)于降壓轉(zhuǎn)換器電路,檢流電阻有多個(gè)位置可以放置。所以,接下來(lái)我們將討論下檢流電阻放置在不同位置的差異。
(1)放置在高邊開關(guān)的高端,檢測(cè)電感峰值電流
帶高端RSENSE的降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)化電路上圖所示,當(dāng)檢流電阻放置在高邊MOSFET的高端時(shí),它會(huì)在高邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)(即TON階段)檢測(cè)電感峰值電流,從而可用于峰值電流模式控制的電源。但是,當(dāng)頂部MOSFET關(guān)斷且底部MOSFET導(dǎo)通時(shí)(即TOFF階段),它不測(cè)量電感電流。
(2)放置在低邊開關(guān)的低端,檢測(cè)電感谷值電流
帶低端RSENSE的降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)化電路上圖所示,當(dāng)檢測(cè)電阻放置在低邊MOSFET的低端時(shí),它僅在低邊MOSFET導(dǎo)通時(shí)(即TOFF階段)檢測(cè)電感谷值電流。這樣,為了進(jìn)一步降低功率損耗并降低電路成本,可以使用低邊MOSFET RDS(ON)檢流,而不必使用外部的檢流電阻RSENSE。
(3)與功率電感串聯(lián)放置,檢測(cè)電感平均電流
RSENSE與電感串聯(lián)的降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)化電路上圖所示,檢流電阻RSENSE與電感是串聯(lián)關(guān)系(簡(jiǎn)稱“串聯(lián)電阻檢流”),可以檢測(cè)電感上的峰值電流、谷值電流或平均電流,因而這種檢流電阻放置方式,支持峰值電流、谷值電流或平均電流三種電流反饋控制模式。這種檢測(cè)方法可提供最佳的信噪比性能。而且,外部RSENSE通??商峁┓浅?zhǔn)確的電流檢測(cè)信號(hào),可以實(shí)現(xiàn)精確的限流(檢測(cè)誤差最低,通常在1%和5%之間)。在多個(gè)電源并聯(lián)時(shí),還有利于實(shí)現(xiàn)精密均流。
03、小結(jié)?
此文,開關(guān)電源電路中精密電阻檢流的基本原理、電阻放置位置不同決定了所檢測(cè)電流的類型也不同...
“電源先生”公眾號(hào)回復(fù)關(guān)鍵字“??開關(guān)模式電源電流檢測(cè)??”獲取PDF參考文件下載鏈接...復(fù)制黏貼不會(huì)出錯(cuò)哦~~