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作者：暢秋
糟糕的2023年已經(jīng)過去，存儲芯片市場正在醞釀一場新的爆發(fā)。
據(jù)TrendForce統(tǒng)計，2023年第四季度，全球DRAM（內(nèi)存）和NAND閃存的價格約上漲 3%~8%。相對于PC市場而言，服務(wù)器DRAM市場對增長起到更大作用。
2024年，隨著運(yùn)算速度的提升，DRAM和NAND閃存在各類AI應(yīng)用，如智能手機(jī)、服務(wù)器、筆電的單機(jī)平均搭載容量都會增長，其中，服務(wù)器應(yīng)用的增長幅度最高。
智能手機(jī)方面，2023年，由于供過于求，存儲器價格快速下跌，由于價格很低，推升了2023年智能手機(jī)DRAM單機(jī)平均搭載容量年增17.5%。2024年，在沒有新應(yīng)用推出的預(yù)期下，智能手機(jī)DRAM的單機(jī)平均搭載容量的增長幅度將放緩，預(yù)估為11%。
服務(wù)器方面，伴隨AI服務(wù)器需求持續(xù)增加，高端AI芯片陸續(xù)推出，由于訓(xùn)練是目前AI市場主流，其采用的存儲器是以有助于高速運(yùn)算的DRAM為主，與NAND閃存相比，DRAM的單機(jī)平均搭載容量增長幅度更高，預(yù)計年增17.3%。
筆電方面，預(yù)計搭載新款CPU的筆電要到下半年才會陸續(xù)推出，對拉高存儲器容量的幫助有限，另外，AI PC要求DRAM容量加大至16GB，預(yù)計筆電DRAM的單機(jī)平均搭載容量年增率約為12.4%。
AI服務(wù)器帶動DDR5和HBM加速前進(jìn)
DDR5加速滲透
AI大模型持續(xù)迭代升級，參數(shù)持續(xù)增長，大模型的參數(shù)規(guī)模越大，算力負(fù)擔(dān)越重，而AI服務(wù)器是算力的核心。2023年，AI服務(wù)器（搭載GPU、FPGA、ASIC等高算力芯片）出貨量近120萬臺，年增38.4%，占整體服務(wù)器出貨量的9%，按照這個勢頭發(fā)展下去，2026年將占到15%的市場份額。
更多的大模型參數(shù)需要大容量、高速的內(nèi)存支持，美光在法說會上表示，一臺AI服務(wù)器的DRAM使用量是普通服務(wù)器的6-8倍。到2026年，預(yù)計服務(wù)器DRAM（不含HBM）市場規(guī)模有望達(dá)到321億美元。
針對AI服務(wù)器的高性能要求，更強(qiáng)大的內(nèi)存——DDR5需求隨之提升。與DDR4相比，DDR5具備更高速度、更大容量和更低能耗等特點(diǎn)。DDR5內(nèi)存的最高傳輸速率達(dá)6.4Gbps，比DDR4高出一倍。
內(nèi)存接口芯片是服務(wù)器內(nèi)存模組的核心邏輯器件，作為服務(wù)器CPU存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必由通路，其主要作用是提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度和穩(wěn)定性，滿足服務(wù)器CPU對內(nèi)存模組日益增長的高性能和大容量需求。
隨著DDR內(nèi)存技術(shù)向DDR5演進(jìn)，內(nèi)存接口芯片的用量也在增加。英特爾和AMD支持DDR5的新平臺推出后，服務(wù)器DDR5又出現(xiàn)了PMIC匹配問題，使得DDR5的市場規(guī)模不能快速提升，新平臺的推出受阻，目前，DRAM原廠和PMIC廠商都已著手解決該問題。雖然短期內(nèi)原廠DDR5供應(yīng)受阻，但由于PMIC供應(yīng)廠商較多，切換及適配不會成為DDR5滲透率提升的瓶頸，服務(wù)器DDR5滲透率有望于今年達(dá)到30%左右。隨著AI服務(wù)器的加速發(fā)展以及PMIC良率問題逐步得到解決，DDR5滲透率有望進(jìn)一步提升，2026年將達(dá)到85%。
存算一體落地之前，HBM將唱主角
目前，GPU主流內(nèi)存方案為GDDR和HBM（高帶寬內(nèi)存）兩種，其中，GDDR在SoC周圍有大量外設(shè)，該方案已經(jīng)從GDDR5升級為GDDR6，以提高帶寬。但是，如果GDDR要增加1GB的帶寬，將會帶來更多功耗，不利于系統(tǒng)性能提升。
HBM方案作為近存計算的典型技術(shù)，可以改善存算分離導(dǎo)致的“存儲墻”問題，即存儲單元的帶寬問題、存儲單元與計算單元數(shù)據(jù)傳輸的能效問題，并且，HBM中Die裸片的垂直堆疊也增大了容量。因此，在存算一體真正落地之前，HBM技術(shù)是契合當(dāng)前GPU對更多內(nèi)存、更高帶寬需求的最佳方案。
HBM的特點(diǎn)是大容量、高帶寬（帶寬用于衡量DRAM傳輸數(shù)據(jù)的速率，是核心技術(shù)指標(biāo)），它將多個DDR裸片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量、高位寬的DDR組合陣列。
2013年，SK海力士率先推出HBM1，HBM1每個堆棧的帶寬為128GB/s、支持4個DRAM堆棧集成，容量為每堆棧4GB。2017年，SK海力士推出了HBM2，它的帶寬和容量與HBM1相比實(shí)現(xiàn)翻倍增長。2018年，JEDEC推出了HBM2e規(guī)范，HBM2e可以實(shí)現(xiàn)每堆棧461GB/s的帶寬。SK海力士于2022上半年開始量產(chǎn)HBM3，帶寬達(dá)到819.2 GB/s，支持12個DRAM堆棧集成，容量達(dá)每堆棧24GB。2023年，主流市場需求從HBM2e轉(zhuǎn)向HBM3，HBM3需求占比提升至39%，隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，預(yù)計2024年HBM3的市場需求占比將達(dá)到60%。
2023年底，英偉達(dá)發(fā)布了DGX GH200，進(jìn)一步推升了AI服務(wù)器對內(nèi)存性能的需求，DGX GH200共鏈接了256個Grace Hopper超級芯片，具有144TB的共享內(nèi)存，GH200單卡配備了480GB LPDDR5內(nèi)存和96GB的HBM顯存，而在上一代DGX H100服務(wù)器中，平均單個H100芯片對應(yīng)256GB內(nèi)存和80GB的HBM。二者對比，GH200方案的內(nèi)存容量有顯著提升。
TrendForce認(rèn)為，英偉達(dá)正在規(guī)劃更多HBM供應(yīng)商，美光（Micron）、SK海力士、三星都已于2023年陸續(xù)提供了8hi（24GB）樣品，三星的HBM3（24GB）已經(jīng)在2023年底完成驗(yàn)證。三大內(nèi)存原廠的HBM3e規(guī)劃和進(jìn)度如下表所示。
由于HBM的驗(yàn)證過程繁瑣，預(yù)計耗時兩個季度，以上三大內(nèi)存原廠都預(yù)計于2024年第一季完成驗(yàn)證。各原廠的HBM3e驗(yàn)證結(jié)果，也將決定英偉達(dá)2024年HBM供應(yīng)商的采購權(quán)重分配。
展望2024年，需要觀察各AI芯片供應(yīng)商的項(xiàng)目進(jìn)度。
英偉達(dá)2023年的高端AI芯片（采用HBM的）的既有產(chǎn)品為A100、A800和H100、H800，2024年，除了上述型號外，該公司還將推出使用6個HBM3e的H200和8個HBM3e的B100，并同步整合自家基于Arm架構(gòu)的 CPU，推出GH200和GB200。
2024年，AMD將重點(diǎn)出貨MI300系列，采用HBM3，下一代MI350將采用HBM3e，將在2024下半年開始進(jìn)行HBM驗(yàn)證，預(yù)計大規(guī)模量產(chǎn)時間將出現(xiàn)在2025年第一季度。
英特爾方面，2022下半年推出了Habana Gaudi 2，采用6個HBM2e，預(yù)計2024年新型號Gaudi 3將繼續(xù)采取HBM2e，但用量將升級至8個。
三大內(nèi)存原廠的表現(xiàn)
不久前，SK海力士公布了HBM發(fā)展路線圖，該公司副總裁Kim Chun-hwan透露，計劃在2024上半年量產(chǎn)HBM3e，并向客戶交付8層堆疊樣品，在6層堆棧HBM3e配置中，每層堆?？商峁?.2 TB/s的通信帶寬，8層堆疊將進(jìn)一步提升HBM內(nèi)存的帶寬。
Kim Chun-hwan表示，在不斷升級的客戶期望的推動下，存儲行業(yè)正在面臨激烈的生存競爭。隨著制程工藝節(jié)點(diǎn)的縮小接近極限，存儲器廠商越來越關(guān)注新一代存儲架構(gòu)和工藝，以給客戶應(yīng)用系統(tǒng)提供更高的性能。為此，SK海力士已經(jīng)啟動了HBM4的開發(fā)，計劃于2025年提供樣品，并于次年量產(chǎn)。
根據(jù)美光提供的信息，與前幾代HBM相比，HBM4每層堆棧的理論峰值帶寬將超過1.5 TB/s。為了實(shí)現(xiàn)這樣的帶寬，在保持合理功耗的同時，HBM4的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)大約6GT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。
三星也有發(fā)展HBM4的時間表，計劃于2025年提供樣品，并于2026年量產(chǎn)。據(jù)三星高管Jaejune Kim透露，該公司HBM產(chǎn)量的一半以上是定制化產(chǎn)品，未來，定制HBM方案的市場規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。通過邏輯集成，量身定制的HBM對于滿足客戶個性化需求至關(guān)重要。
三星和SK海力士之間的競爭正在升溫。
一些市場觀察人士表示，三星在HBM芯片開發(fā)方面落后于SK海力士，為了在新接口標(biāo)準(zhǔn)CXL開發(fā)中占據(jù)優(yōu)勢地位，三星加快了技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)品布局。
三星電子執(zhí)行副總裁兼美國內(nèi)存業(yè)務(wù)主管 Lee Jung-bae在一篇博客文章中表示，該公司將擴(kuò)大32GB DDR5及1TB模塊產(chǎn)能，他表示：“我們將積極利用CXL內(nèi)存模塊 (CMM) 等新型接口，這將有助于實(shí)現(xiàn)內(nèi)存帶寬和容量可以根據(jù)運(yùn)營需求無縫擴(kuò)展?！?/p>
SK海力士也表示，計劃加大對高帶寬內(nèi)存和DDR5芯片的投資，以適應(yīng)人工智能市場的增長需求?！芭c2023年相比，2024年的資本支出將有所增加?！覀儗⒆畲笙薅鹊靥嵘Y金利用效率”，SK海力士副總裁兼首席財務(wù)官金宇賢表示：“在2023年投資金額的范圍內(nèi)，我們根據(jù)產(chǎn)品優(yōu)先順序調(diào)整了資本支出，2024年，我們將更多地關(guān)注轉(zhuǎn)換制程工藝，而不只是增加產(chǎn)能。”
金宇賢表示，SK海力士將努力擴(kuò)大第四代和第五代10nm級制程內(nèi)存芯片的比例，到2024年底，這些新品將占據(jù)該公司DRAM產(chǎn)量的一半以上。不過，他表示，要達(dá)到2022年第四季度的產(chǎn)能水平，還需要相當(dāng)長時間。
SK海力士對引領(lǐng)HBM市場充滿信心，預(yù)測未來5年的年均增長率將達(dá)到60%~80%。該公司DRAM營銷主管Park Myung-soo表示：“我們2024年的HBM3和HBM3e芯片產(chǎn)能已經(jīng)售罄。根據(jù)客戶和市場觀察人士的說法，我們的HBM3產(chǎn)能份額非常高?！?/p>
據(jù)TrendForce統(tǒng)計，2023年第三季度，SK海力士擠下三星電子，成為全球最大的服務(wù)器DRAM廠商。報告顯示，2023年第三季度，SK海力士服務(wù)器DRAM銷售額達(dá)到18.5億美元，拿下49.6%的市場份額，穩(wěn)居全球龍頭寶座，排名第二的三星電子，在該季度的服務(wù)器DRAM銷售額為13.13億美元，市占率為35.2%，同期內(nèi)，美光的服務(wù)器DRAM銷售額為5.6億美元，市占率為15.0%，排名第三。
需要指出是，以上統(tǒng)計數(shù)字僅是傳統(tǒng)服務(wù)器搭載的DDR5內(nèi)存，不包括用于AI服務(wù)器的HBM，若將HBM銷售計算在內(nèi)，SK海力士領(lǐng)先三星電子的幅度會更大。
2024年1月24日，SK海力士發(fā)布了FY2023財報，營收為32.77萬億韓元，同比下降27%。單看FY2023Q4表現(xiàn)，營收為11.31萬億韓元，同比增長47%，環(huán)比增長25%。DRAM業(yè)務(wù)Q4營收7.35萬億韓元，同比增長49.15%，環(huán)比增長20.98%。該公司在FY2023年Q4扭虧為盈，業(yè)績開始全面反彈。SK海力士表示，自FY2023年Q4開始，該公司用于AI服務(wù)器和移動端的產(chǎn)品需求都在增長，平均售價上升，存儲器市場環(huán)境有所改善。整個FY2023，該公司的DRAM憑借技術(shù)實(shí)力積極響應(yīng)了客戶需求，主力產(chǎn)品DDR5和HBM3的收入同比分別增長4倍和5倍。
就整體DRAM模塊市場而言，三星電子仍穩(wěn)居DRAM霸主地位，但SK海力士正在急起直追。據(jù)Omdia統(tǒng)計，2023年第三季度，三星電子在DRAM領(lǐng)域市占率為39.4%，SK海力士以35%的市占率居次位，美光排名第三，市占率為21.5%。
排名內(nèi)存行業(yè)第三位的美光也在加緊布局AI服務(wù)器市場，該公司計劃在2024年第一季度量產(chǎn)HBM3e，以搶攻英偉達(dá)的超級計算機(jī)DGX GH200商機(jī)。美光技術(shù)開發(fā)事業(yè)部資深副總裁Naga Chandrasekaran表示，采用EUV技術(shù)量產(chǎn)的1-gamma制程產(chǎn)品，正在研發(fā)過程中，預(yù)計于2025年量產(chǎn)。
業(yè)界人士指出，在HBM產(chǎn)品開發(fā)方面，雖然美光落后三星和SK海力士近一年時間，但在新一代HBM3e產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)進(jìn)度方面，該公司加快了節(jié)奏，有望在HBM競賽中扳回一城。
結(jié)語
通過分析全球芯片市場不同細(xì)分領(lǐng)域的年度銷售數(shù)據(jù)，包括存儲器、微處理器、邏輯電路、模擬電路、分立器件和光電子器件，結(jié)合不同領(lǐng)域年度銷售額同比增速的趨勢，按照一輪周期中同比增速的最小值為周期底部、同比增速的最大值為周期頂部，可以得出以下結(jié)論：2002年、2008年、2011年、2015年、2019年、2023年是半導(dǎo)體行業(yè)周期底部，2004年、2010年、2014年、2017年、2021年是周期頂部。全球半導(dǎo)體市場大約每隔4~5年經(jīng)歷一輪周期，不同細(xì)分領(lǐng)域周期底部時間點(diǎn)略有差別。
在上述所有半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域中，存儲器周期波動最大，在上行周期的頂部，2010年、2017年存儲器銷售額同比增長分別為55%、61%，在下行周期的底部，2002年、2019年存儲器銷售額同比下降了30%、33%。據(jù)WSTS統(tǒng)計，2022年全球半導(dǎo)體銷售額為5741億美元，其中，存儲器銷售額為1298億美元，占全球半導(dǎo)體銷售總額的22.6%，在過去20年內(nèi)，存儲器長期占半導(dǎo)體銷售總額比重的20%以上。因此，存儲器是集成電路中銷售額最大的細(xì)分領(lǐng)域，在整個產(chǎn)業(yè)中占據(jù)核心地位，存儲器市場變化周期是影響半導(dǎo)體周期的主要因素。
DRAM的上一輪周期在2017年12月左右見頂，在2019年12月觸底，下行周期持續(xù)時間在兩年時間，隨后經(jīng)歷了一年半左右的上行周期，上一輪周期持續(xù)了3-4年。本輪DRAM周期在2021年4月左右見頂，在2023年9月觸底，10月價格反彈。本輪下行周期持續(xù)時間已達(dá)兩年半，新一輪的DRAM上行周期已經(jīng)開始。
或許在2024和2025年，內(nèi)存市場有望掀起新一波需求熱潮，重現(xiàn)2017和2018年輝煌的市場景象。
下載ECAD模型
