致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下詮鼎推出基于英諾賽科(Innoscience)InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片的2KW PSU服務器電源方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務器電源方案的展示板圖
近年來,工業(yè)領域?qū)aN的需求逐步攀升。根據(jù)AKCP機構測算,2023年網(wǎng)絡設備、通信設備以及數(shù)據(jù)中心等的能耗將占全球總用電量的21%左右,成為了實現(xiàn)“碳中和”目標最大的挑戰(zhàn)之一。其中,海量的數(shù)據(jù)需求將繼續(xù)加快數(shù)據(jù)中心的建設速度。因此,具備更高效率和更高功率密度的解決方案成為數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)的迫切需求。在此趨勢下,大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH、和INN650D080BS芯片推出2KW PSU服務器電源方案,旨在利用先進的GaN器件助力服務器電源實現(xiàn)更出色的能效。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務器電源方案的場景應用圖
本方案采用Innoscience旗下InnoGaN 650V GaN芯片實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換,其中,PFC慢橋臂采用2顆INN650TA030AH,其采用Toll封裝、導通電阻為30mΩ;PFC快橋臂采用2顆INN650TA070AH,其同樣采用Toll封裝,導通電阻為70mΩ;LLC橋臂采用4顆INN650D080BS,其采用DFN8*8封裝,導通電阻為80mΩ。與Si MOS相比,Innoscience產(chǎn)品具備低Qg、低Co(tr)以及無反向恢復損耗Qrr等特性。
通過效率測試,在輸入電壓230Vac/264Vac的條件下,本方案的最高效率可達到96.5%,能輕松滿足80 Plus鈦金級能效標準,進一步為數(shù)據(jù)中心提供高效電源。不僅如此,在通信電源、LED照明等應用中,本方案同樣具備小體積、高效率的優(yōu)勢,具有廣泛的應用前景。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務器電源方案的方塊圖
Innoscience在數(shù)據(jù)中心領域進行了多年的產(chǎn)品布局,旗下?lián)碛袕那岸薖SU電源到主板DC/DC模塊,以及芯片直接供電的全鏈路解決方案。未來隨著GaN的優(yōu)越性能逐漸顯現(xiàn),其相關技術將在更多應用中大放異彩。在這個過程中,大聯(lián)大將與Innoscience攜手共進、共同開發(fā)先進的解決方案,助力客戶加快GaN技術的應用。
核心技術優(yōu)勢:
- 高效率:在230Vac Vin下效率高達96.5%,符合80Plus鈦金級能效標準;
- 高功率密度:76W/in3;
- 1U標準尺寸:185mm×65mm×36mm(PCBA)。
方案規(guī)格:
- 效率:96.5%@230Vac(80 Plus鈦金級能效);
- 功率密度:76W/in3;
- InnoGaN:
INN650TA070AH *2;
INN650TA030AH *2;
INN650D080BS *4。