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由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優(yōu)點，對于此類傳感器的研究和開發(fā)進行了大量投入。特別是基于場效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應管，它們被廣泛用于各種應用：如生物研究，即時診斷，環(huán)境應用，以及食品安全。
生物場效應管將生物響應轉換為分析物，并將其轉換為可以使用直流I-V技術輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關。
根據(jù)設備上的終端數(shù)量，可以使用多個源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流I-V測試。SMU是一種既可以輸出又可以測量電流和電壓的儀器，可以用來對FET的柵極和漏極施加電壓。如圖1所示，Keithley 4200A-SCS參數(shù)分析儀是多個SMU與交互式軟件相結合的集成系統(tǒng)。這種可配置的測試系統(tǒng)將這些測量簡化為一個集成系統(tǒng)，包括硬件、交互軟件、圖形和分析功能。
圖1. 4200A-SCS參數(shù)分析儀
本應用指南描述了典型的生物場效應管，及如何將SMU和被測器件進行電氣連接，定義了常見的直流I-V測試和用于進行測量的儀器，并解釋了測量注意事項以達到理想測量結果。
一、生物場效應管/BioFET感器
生物晶體管傳感器包含一個晶體管和一個生物敏感層，用于檢測類似于生物分子等生物成分。圖2顯示了一個簡化的圖，說明了生物晶體管傳感器是如何工作的。
圖2. 使用生物傳感器和直流I-V測量儀器檢測和測量生物成分
使用生物傳感器，生物成分如葡萄糖、病毒、PH值或癌細胞等被傳感元件（如生物受體、傳感膜或碳納米材料）檢測，這些傳感元件是生物傳感器的一部分。該裝置將對被分析物的生物反應轉化為電信號。生物元件的檢測和濃度與流過晶體管的漏極電流有關。然后使用直流I-V測量儀器測量FET的電信號。這些測量儀器與測量傳統(tǒng)晶體管的測量儀器是一樣的。
在這些設備上執(zhí)行的常見直流I-V測試包括傳輸特性、輸出特性、閾值電壓、開路電位和設備的柵極漏電流。
二、MOSFET概述
許多生物晶體傳感器基于MOSFET或金屬氧化物半導體FET，這是一個帶有絕緣柵極的三端或四端FET。
圖3顯示了一個n溝道MOSFET或nMOS晶體管，具有四個端子：柵極、漏極、源極和體極（塊體）。源極和漏極觸點是大量摻雜n+的區(qū)域。襯底為低摻雜材料p-。柵極用一層很薄的氧化層（通常是SiO2）與通道絕緣。
圖3. MOSFET簡化電路
當電壓源連接到柵極和漏極端并施加偏置電壓Vg和Vd時，在源極和漏極端之間形成導電通道。電流開始從漏極流向源極。電流流動的方向與帶負電的電子的運動方向相反。柵極電壓與載流子一起控制通道。
圖4. 使用SMU測試MOSFET的直流I-V特性
如圖4所示，電路中的兩個電源可以替換為SMU。SMU可以提供電壓和測量電流，以確定MOSFET的I-V特性。在本例中，一個SMU連接到柵極端子上，施加柵極電壓并測量柵極泄漏電流。第二個SMU連接到漏極端，施加漏極電壓并測量由此產(chǎn)生的漏極電流。除了加載電壓和測量電流外，還可以遠程控制SMU改變電壓源的極性，并設置合適的鉗位電流，以防止過大的電流損壞設備。
根據(jù)I-V測量需求，SMU也可以連接到MOSFET的Source和Bulk端。本示例中，Source端和Bulk端分別連接在SMU的LO終端上。當使用多個SMU時，SMU的時間必須同步，這在4200A-SCS參數(shù)分析儀內會自動完成。
三、BioFETs示例
在本節(jié)中，將提供常見生物場效應管的示例以及如何與這些器件進行電氣連接。這些例子包括背柵生物場效應管、擴展柵極FET和離子敏感型FET。
Back-Gated BioFET
在背柵生物場效應管中，如圖5所示，電和化學絕緣材料將半導體層與導電通道分開。當生物受體暴露于特定的分析物或生物元素時，F(xiàn)ET的I-V特性將受到影響。在這種情況下，漏極電流與生物因素有關，如病原體或其他生物分析物。
圖5. 背柵BioFET
電路中的兩個SMU用于偏置和表征器件。一個SMU連接到柵極，第二個SMU連接到漏極。源端可以連接到4200A-SCS的接地單元，也可以連接到第三個SMU。
在這個例子中，SMU1提供柵極電壓，也可以用來測量柵極泄漏電流。有時使用電源來加載柵極電壓SMU的使用提供了一個優(yōu)勢，因為它還可以測量柵極泄漏電流，這有助于研究器件的I-V特性。柵極電壓用于控制通道寬度，并可用于增加對分析物的靈敏度，因此更容易測量漏極電流。SMU2連接到漏極端并施加漏極電壓（VD）并測量漏極電流（ID）。
擴展柵FET（EGFET）
圖6顯示了一個擴展柵FET，它包括一個傳感結構和一個MOSFET。在這種生物場效應管中，傳感結構和MOSFET在物理上分為兩部分。由于MOSFET與傳感元件是分離的，因此可以使用市售的MOSFET作為傳感器。EGFET有一個與MOSFET柵極直接接觸的工作電極。工作電極在電解質溶液中也有傳感膜，用于檢測分析物。
在這種配置中，SMU1連接到參考電極并輸出參考電壓（VREF）。該電壓用于控制FET的通道寬度。SMU2施加漏極電壓（VD）并測量漏極電流（ID）。與背柵FET一樣，由兩個SMU測量的MOSFET的轉移特性（ID vs. VREF）將根據(jù)分析物而變化。SMU也可以用來測量輸出特性（ID vs. VD）和器件的柵漏電流。EGFET的一些應用包括檢測特定分子，如葡萄糖、pH值和離子種類。
圖6. 擴展柵FET
離子選擇FET（ISFET）
如圖7所示，離子選擇場效應晶體管（ISFET）用于測量溶液中的離子濃度。離子濃度與流過晶體管的漏極電流有關。ISFET廣泛應用于生物醫(yī)學領域，如pH值監(jiān)測、葡萄糖測量和抗體檢測。
ISFET與EGFET一樣，由傳感結構和MOSFET組成。與EGFET不同的是，傳感元件和FET在物理上不是分開的，而是結合在一起的。ISFET具有與MOSFET相同的基本結構，包括柵極、漏極和源極。然而，傳統(tǒng)的MOSFET的金屬柵極被溶液中的參考電極和離子敏感膜所取代。這個例子展示了一個硅溝道，但該溝道也可以由石墨烯、硅納米線或碳納米管等其他材料制成。
圖7. ISFET
在本例中，參考電極連接到SMU1，施加電壓并測量柵極電流。柵極電壓在基準電極和襯底之間施加，并在FET的漏極和源極之間形成反轉層。FET的漏極連接到SMU2，加漏極電壓并測量漏極電流。背部端接有需要時用于連接ISFET的襯底和GNDU的Force LO。當電解質溶液的離子濃度變化時，F(xiàn)ET的漏極電流也隨之變化，并由SMU2測量。
四、直流I-V測量
本節(jié)描述了用于表征生物場效應管的常見直流I-V測量，包括傳輸特性（Id-Vg）、輸出特性（Id-Vd）和漏電流與時間測量（Id-t）。
傳輸特性（Id-Vg）
生物場效應管上最常見的電氣測量可能是傳輸特性，它繪制漏極電流與柵極電壓的關系。轉移特性通常與正在研究的病原體或其他生物因素的濃度有關。
在這個測試中，一個SMU掃描柵極電壓，第二個SMU在恒定漏極電壓下測量產(chǎn)生的漏極電流。圖8顯示了四條不同的曲線，代表了四種不同濃度的病原體。這些曲線是使用4200A-SCS參數(shù)分析儀生成的。
圖8. 轉移特性
Clarius軟件庫中附帶了一個FET傳輸特性的測試，以及一個對傳輸和輸出特性都進行測試的項目。這些測試和項目可以通過在軟件的Select視圖中在Library的搜索欄中輸入biofet來找到。這個測試的Configure截圖如圖9所示。
圖9. 在Clarius軟件中配置測試視圖以測量生物晶體管的Id-Vg
輸出特性（Id-Vd）
另一種常見的測試是確定FET的輸出特性，即漏極電流與漏極電壓的相關函數(shù)，如圖10所示。這些曲線是使用4200A-SCS參數(shù)分析儀中的兩個SMU生成的。在這種情況下，SMU1連接柵極提供步進電壓，而連接漏極的SMU2則掃描電壓并測量產(chǎn)生的電流。
為了測試FET的功能，多個柵極階躍可以生成一系列曲線，并顯示漏極電流對柵極電壓的依賴關系。或者，柵極電壓可以保持恒定，但對生物組分進行改變，以觀察不同組分或濃度如何影響漏極電流。
圖10. 輸出特性
漏極電流 vs. 時間（Id-t）
通過繪制漏極電流隨時間的函數(shù)圖，可以監(jiān)測生物晶體管傳感器的動態(tài)響應，如圖11所示。漏極電流的大小會隨著分析物濃度的變化而變化。在這種應用中，當漏極電流被測量時，柵極和漏極電壓偏置都保持恒定，因此只有分析物在變化。
圖11. 漏極電流與時間趨勢圖
五、測量優(yōu)化
在本節(jié)中，將描述實現(xiàn)最佳測量的方法，包括進行空白測試/空測，以最大限度地減少噪聲讀數(shù)，允許足夠的穩(wěn)定時間，以及規(guī)范使用以避免損壞設備。
運行“空白”測試
一旦系統(tǒng)設置好，運行“空白”或空測以確保一切設置和配置正確是一個好方法。這個測試將通過測量設備的I-V特性來建立一個基線電流，以確保它在沒有添加任何生物成分的情況下是正常工作的。在添加生物組件之前，可以根據(jù)需要對測試電路和設置進行調整。根據(jù)設備的類型不同，這個操作可能是可執(zhí)行的也可能是不可能的。
最小化噪聲讀數(shù)
噪聲可能是測量低電流時最常見的問題之一。生物晶體管的漏極電流或柵漏電流可以在nA和pA范圍內。噪聲可能由幾種原因引起，可能需要一些實驗來確定其來源。
當帶電物體接近被測電路時，會產(chǎn)生靜電干擾。在高阻抗電路中，這種電荷不會迅速衰減，可能導致測量結果不穩(wěn)定。錯誤的讀數(shù)可能是由于直流或交流靜電場造成的，因此靜電屏蔽將有助于最大限度地減少這些場對測試的影響。
靜電屏蔽可以只是一個簡單的金屬盒，將測試電路封閉起來。探針臺通常包括一個靜電/EMI屏蔽或可選的暗盒。屏蔽應連接到測量電路LO端，即SMU的Force LO端子。Force LO端子位于SMU三軸電纜的外屏蔽層或位于GNDU上。所有電纜都需要采用低噪聲設計并屏蔽。每個42XX-SMU配有兩根低噪聲三軸電纜。
另一種降噪方法是控制外部噪聲源。這些噪聲源是由馬達、電腦屏幕或實驗室或試驗臺內或附近的其他電氣設備產(chǎn)生的干擾。它們可以通過屏蔽和過濾或通過去除或關閉噪聲源來控制。
綜上所述，為了最大限度地減少噪聲讀數(shù)：
- 讓所有帶電物體，包括人、導體遠離測試電路的敏感區(qū)域
- 避免在測試區(qū)域附近移動和振動
- 控制或消除外部噪聲源
- 增加測量的積分時間，可以在Clarius的測試設置窗口中使用自定義速度模式進行調整
- 用導電外殼將被測設備屏蔽，并將外殼與測試電路公共端子（Force LO）連接，如圖12所示。屏蔽可以只是一個簡單的金屬盒或網(wǎng)狀屏幕，將測試電路封閉起來。
圖12. 導電屏蔽殼連接到Force LO
限制電流
為了防止在進行I-V表征時損壞設備，設置鉗位值以限制可以流過設備的電流量。這可以在Clarius軟件中通過將每個SMU的當前鉗位值設置為安全水平來完成。這是一個可編程限制，以確保電流不超過用戶定義的水平。
提供足夠的穩(wěn)定時間
當測量低電流（<1μA）時，需要允許足夠的穩(wěn)定時間，以確保在施加或改變電流或電壓后測量的穩(wěn)定性，例如當掃描柵極電壓和測量漏極電流時。影響電路穩(wěn)定時間的因素包括測試電路的分流電容和器件電阻。分流電容包括電纜、測試夾具、探頭和開關矩陣。
測量電路的穩(wěn)定時間可以通過繪制電流與時間到階躍電壓的關系來確定。穩(wěn)定時間可以通過圖形直觀地確定。一旦確定了穩(wěn)定時間，該值可以用作Clarius軟件的測試設置窗口中的電壓掃描延遲時間。
六、結論
基于FET的生物傳感器由于其成本低、反應快、檢測準確等優(yōu)點，研究和開發(fā)得到了加強。生物OFET將對分析物的生物響應轉換成可以通過直流I-V儀器輕松測量的電信號。4200A-SCS參數(shù)分析儀中的SMU用于執(zhí)行生物場效應管的I-V表征，使用適當?shù)膬x器設置和應用適當?shù)臏y量技術可以達到理想測量結果。
