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作者 | 方文
隨著數(shù)據(jù)的爆炸勢增長，內(nèi)存墻對于計算速度的影響愈發(fā)顯現(xiàn)。
為了減小內(nèi)存墻的影響，提升內(nèi)存帶寬一直是存儲芯片聚焦的關(guān)鍵問題。
長期以來，內(nèi)存行業(yè)的價值主張在很大程度上始終以系統(tǒng)級需求為導(dǎo)向，已經(jīng)突破了系統(tǒng)性能的當(dāng)前極限。
HBM契合半導(dǎo)體發(fā)展趨勢
作為存儲器市場的重要組成部分，DRAM技術(shù)不斷地升級衍生。
DRAM從2D向3D技術(shù)發(fā)展，其中HBM是主要代表產(chǎn)品。
HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）是一款新型的CPU/GPU 內(nèi)存芯片。
其實就是將很多個DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列。
通過增加帶寬，擴(kuò)展內(nèi)存容量，讓更大的模型，更多的參數(shù)留在離核心計算更近的地方，從而減少內(nèi)存和存儲解決方案帶來的延遲。
從技術(shù)角度看，HBM使DRAM從傳統(tǒng)2D轉(zhuǎn)變?yōu)榱Ⅲw3D，充分利用空間、縮小面積，契合半導(dǎo)體行業(yè)小型化、集成化的發(fā)展趨勢。
JEDEC發(fā)布HBM3標(biāo)準(zhǔn)，帶寬翻倍覆蓋更多領(lǐng)域
在堆疊層數(shù)方面，新標(biāo)準(zhǔn)不僅支持4-Hi、8-Hi、12-Hi的硅通孔(TSV)堆棧，同時還為16-Hi方案實現(xiàn)做好準(zhǔn)備。
每層8—32Gb的容量密度，可輕松支持4GB(8Gb?4-Hi)到64GB(32Gb?16-Hi)容量密度，預(yù)計初代產(chǎn)品將基于16Gb存儲層。
為滿足對高平臺層級的可靠性、可用性與可維護(hù)性(簡稱RAS)需求，HBM3還支持基于符號的片上ECC、以及實時錯誤報告和透明度。
通過在主機(jī)接口端使用低擺幅(0.4V)信號和較低的工作電壓(1.1V)，進(jìn)一步提升能效表現(xiàn)。
人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)、高性能計算、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用市場興起，催生高帶寬內(nèi)存HBM并推動著其向前走更新迭代。
市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia預(yù)測，2025年HBM市場的總收入將達(dá)到25億美元。
巨頭率先抵達(dá)HBM3“戰(zhàn)場”
去年10月，SK海力士宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
這是SK海力士去年7月開始批量生產(chǎn)HBM2E DRAM后，時隔僅1年零3個月開發(fā)了HBM3。
SK海力士研發(fā)的HBM3可每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相當(dāng)于可在一秒內(nèi)傳輸163部全高清電影，與上一代HBM2E相比，速度提高了約78%；
內(nèi)置ECC校檢，可自身修復(fù)DRAM單元的數(shù)據(jù)的錯誤，產(chǎn)品可靠性大幅提高。
隨著SK海力士成功開發(fā)HBM3，HBM開始挺進(jìn)3.0時代，IP廠商亦已先行布局HBM3。
去年2月，三星電子發(fā)布其集成AI處理器新一代芯片HBM-PIM（processing-in-memory）。
可提供最高達(dá)1.2TFLOPS的嵌入式計算能力，從而使內(nèi)存芯片本身能夠執(zhí)行通常由CPU、GPU、ASIC或FPGA處理的工作。
HBM-PIM芯片將AI引擎引入每個存儲庫，從而將處理操作轉(zhuǎn)移到HBM本身。
去年7月，AMD正在研發(fā)代號為Genoa的下一代EPYC霄龍服務(wù)器處理器，采用Zen4架構(gòu)。
這一處理器將首次配備HBM內(nèi)存，目的是與英特爾下一代服務(wù)器CPU Sapphire Rapids競爭。
英特爾和AMD均將在CPU上采用HBM，這也意味著HBM的應(yīng)用不再局限于顯卡，其在服務(wù)器領(lǐng)域的應(yīng)用將有望更加廣泛。
去年10月，Synopsys宣布推出業(yè)界首個完整的HBM3IP解決方案，包括用于2.5D多芯片封裝系統(tǒng)的控制器、PHY和驗證IP。
Design Ware HBM3控制器與PHYIP基于經(jīng)芯片驗證過的HBM2EIP打造，而HBM3 PHYIP基于5nm制程打造，每個引腳的速率可達(dá)7200Mbps，內(nèi)存帶寬最高可提升至921GB/s。
去年8月，美國內(nèi)存IP核供應(yīng)商Rambus宣布推出其支持HBM3的內(nèi)存接口子系統(tǒng)，內(nèi)含完全集成的PHY和數(shù)字控制器。
數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)8.4Gbps，可提供超過1TB/s的帶寬，是HBM2E內(nèi)存子系統(tǒng)的兩倍以上。
去年8月，英特爾在其架構(gòu)日上介紹基于XeHPC微架構(gòu)的全新數(shù)據(jù)中心GPU架構(gòu)Ponte Vecchio。
Ponte Vecchio芯片由幾個以單元顯示的復(fù)雜設(shè)計構(gòu)成，包括計算單元、Rambo單元、Xe鏈路單元以及包含高速HBM內(nèi)存的基礎(chǔ)單元。
英特爾也將HBM用在其下一代服務(wù)器CPU Sapphire Rapids上。
在內(nèi)存方面，除了支持DDR5和英特爾@傲騰內(nèi)存技術(shù)，還提供了一個產(chǎn)品版本，該版本在封裝中集成了HBM技術(shù)。
可在HPC、AI、機(jī)器學(xué)習(xí)和內(nèi)存數(shù)據(jù)分析工作負(fù)載中普遍存在的密集并行計算中實現(xiàn)高性能。
在 CES 2023 展會上，AMD披露了面向下一代數(shù)據(jù)中心的 APU 加速卡產(chǎn)品 Instinct MI300，是AMD投產(chǎn)的最大芯片。
這 9 顆小芯片采用有源設(shè)計，不僅可以在I/O瓦片之間實現(xiàn)通信，還可以實現(xiàn)與HBM3堆棧接口的內(nèi)存控制器之間的通信，從而帶來令人難以置信的數(shù)據(jù)吞吐量。
結(jié)尾：
隨著技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化發(fā)展，該技術(shù)應(yīng)用將會進(jìn)一步擴(kuò)大，擴(kuò)展至用于下一代超級計算機(jī)和AI應(yīng)用的HBM3，甚至用于設(shè)備上AI的移動存儲器，以及用于數(shù)據(jù)中心的存儲器模塊。
HBM 對存儲器于面向企業(yè)市場和最終消費者的產(chǎn)品來說是一個非常昂貴的選擇。
隨著人工智能和深度學(xué)習(xí)的不斷發(fā)展，系統(tǒng)已經(jīng)變得對帶寬需求很大。
HBM處于系統(tǒng)和內(nèi)存性能層級的頂端，是包括超級計算機(jī)、高性能計算、自動駕駛和機(jī)器學(xué)習(xí)等下一代應(yīng)用無可爭議的技術(shù)推動因素。
部分資料參考：
IT之家：《AMD 造出最大芯片 Instinct MI300 加速卡》
半導(dǎo)體行業(yè)觀察：《存儲巨頭競逐HBM》
天極網(wǎng)：《JEDEC發(fā)布HBM3標(biāo)準(zhǔn)》
中國IDC圈：《HBM3內(nèi)存：向更高的帶寬突破》
