[摘要]隨著器件繼續(xù)小型化，半導體器件可靠性測試以及器件壽命預測面臨極大挑戰(zhàn)。由于新材料和新工藝的復雜性增大，器件失效的隨機性也在增加。這需要產(chǎn)生更大的統(tǒng)計樣本測試數(shù)據(jù)。雖然傳統(tǒng)的應力-開關-測量可靠性測試技術能實現(xiàn)龐大數(shù)量的器件測試，但這種方法可能存在問題。使用TDDB，工程師需要監(jiān)測軟擊穿和漸進式擊穿。采用NBTI，必須最小化器件弛豫并以極快的速度完成測量。在測試單個器件的層面上，某些問題還是可控的，但在實際時間段內(nèi)順序測試單個器件不能提供大量的統(tǒng)計樣本數(shù)據(jù)。