面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時V TH 測量
[摘要] 在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術(shù)中對偏壓溫度不穩(wěn)定性——負偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和正偏壓溫度不穩(wěn)定性(PBTI)——監(jiān)測和控制的需求不斷增加。當前 NBTI1 的JEDEC標準將“測量間歇期的NBTI恢復”視為促進可靠性研究人員不斷完善測試技術(shù)的關(guān)鍵。簡單來說,當撤銷器件應力時,這種性能的劣化就開始“愈合”。這意味著慢間歇期測量得出的壽命預測結(jié)果將過于樂觀。因此,劣化特性分析得越快,(劣化)恢復對壽命預測的影響越小。此外,實驗數(shù)據(jù)顯示被測的劣化時間斜率(n)很大程度取決于測量時延和測量速度。因此,為了最小化測量延時并提高測量速度開發(fā)了幾種測量技術(shù)。
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所屬分類:微弱信號與源測量
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