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吉時(shí)利新的數(shù)字萬用表指南(中文）

[摘要] 通過這款免費(fèi)的電子指南，您將不僅獲得有用的選型指南和產(chǎn)品信息，還能訪問涉及這些重要話題的8篇應(yīng)用筆記。

資源類型：pdf

資源大小：8.25MB

所屬分類：數(shù)字多用表

相關(guān)資源

用2600系列數(shù)字源表進(jìn)行 IDDQ測試和待機(jī)電流測試

上傳時(shí)間：2012/09/05資源大?。?.3MB

[摘要]CMOS集成電路（CMOS IC）和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測量靜態(tài)（或“待機(jī)”）電源電流用于驗(yàn)證生產(chǎn)測試質(zhì)量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測量過程被稱為IDDQ測試。此測試要求在IC處于靜態(tài)條件下測量VDD電源電流。測試的目的是檢查柵氧化層短路及可能隨時(shí)間導(dǎo)致IC失效的其它缺陷。同樣地，帶有雙極晶體管的電池供電產(chǎn)品或其它IC的電源電流也可以在靜態(tài)模式下測量。這些產(chǎn)品類型包括便攜式電池供電的消費(fèi)性電子產(chǎn)品，以及可植入的醫(yī)療設(shè)備，例如心臟起搏器和除顫器。這些測試的目標(biāo)是在給定電池充電

基于實(shí)驗(yàn)室自動(dòng)化的ACS集成測試系統(tǒng)

上傳時(shí)間：2012/09/05資源大?。?.89MB

[摘要]隨著面市時(shí)間和測試成本的壓力增大，需要繼續(xù)仔細(xì)檢查工具利用率和測試工程師的生產(chǎn)率。提高自動(dòng)化水平是一種改善資源分配常規(guī)方法。從手動(dòng)探測器的單管芯測試到半自動(dòng)探測器的單晶圓測試的這一過程自然會(huì)通向自動(dòng)探測器的全晶匣檢測。在過去，使用精密、靈活的實(shí)驗(yàn)室工具但不購買BEOL生產(chǎn)測試儀的條件下執(zhí)行此類測試非常困難。這類測試通常包含大量定制代碼和專用測試臺(tái)并且需要訓(xùn)練有素的工程師運(yùn)行設(shè)備。吉時(shí)利有這種方案。通過結(jié)合吉時(shí)利的自動(dòng)特性分析套件（ACS）軟件和4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)，您將獲得兩者的優(yōu)點(diǎn)——實(shí)驗(yàn)

面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時(shí)V TH 測量

上傳時(shí)間：2012/09/05資源大?。?73.66KB

[摘要]在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術(shù)中對(duì)偏壓溫度不穩(wěn)定性——負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）和正偏壓溫度不穩(wěn)定性（PBTI）——監(jiān)測和控制的需求不斷增加。當(dāng)前 NBTI1 的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)將“測量間歇期的NBTI恢復(fù)”視為促進(jìn)可靠性研究人員不斷完善測試技術(shù)的關(guān)鍵。簡單來說，當(dāng)撤銷器件應(yīng)力時(shí)，這種性能的劣化就開始“愈合”。這意味著慢間歇期測量得出的壽命預(yù)測結(jié)果將過于樂觀。因此，劣化特性分析得越快，（劣化）恢復(fù)對(duì)壽命預(yù)測的影響越小。此外，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示被測的劣化時(shí)間斜率（n）很大程度取決于測量時(shí)延和測量速度。因此

基于高吞吐率WLR測試的ACS集成測試系統(tǒng)

上傳時(shí)間：2012/09/05資源大小：3.03MB

[摘要]隨著器件繼續(xù)小型化，半導(dǎo)體器件可靠性測試以及器件壽命預(yù)測面臨極大挑戰(zhàn)。由于新材料和新工藝的復(fù)雜性增大，器件失效的隨機(jī)性也在增加。這需要產(chǎn)生更大的統(tǒng)計(jì)樣本測試數(shù)據(jù)。雖然傳統(tǒng)的應(yīng)力-開關(guān)-測量可靠性測試技術(shù)能實(shí)現(xiàn)龐大數(shù)量的器件測試，但這種方法可能存在問題。使用TDDB，工程師需要監(jiān)測軟擊穿和漸進(jìn)式擊穿。采用NBTI，必須最小化器件弛豫并以極快的速度完成測量。在測試單個(gè)器件的層面上，某些問題還是可控的，但在實(shí)際時(shí)間段內(nèi)順序測試單個(gè)器件不能提供大量的統(tǒng)計(jì)樣本數(shù)據(jù)。

用于多站點(diǎn)并行測試的ACS集成測試系統(tǒng)

上傳時(shí)間：2012/09/05資源大?。?.09MB

[摘要]測試成本被視為未來先進(jìn)半導(dǎo)體的首要挑戰(zhàn)。對(duì)測試成本和測試系統(tǒng)購置成本影響最大的是測試系統(tǒng)吞吐量。不論什么具體應(yīng)用，并行測試都最大程度改善了晶圓上測試的吞吐量公式。這是因?yàn)榇蟛糠珠_銷用在了移動(dòng)探針或者將探針重新定位至下一個(gè)測試站點(diǎn)。開銷包括了探測器和耗材（例如探針卡）的成本和維護(hù)。最重要的是如何最大程度利用這些投入。提高測試儀的吞吐量能顯著降低測試成本，縮短產(chǎn)品面市時(shí)間。

獎(jiǎng)品

吉時(shí)利內(nèi)容豐富的全新CD《掌握當(dāng)今半導(dǎo)體器件的測量方法》，該CD含有關(guān)于半導(dǎo)體器件測試和測量方法的十幾期在線研討會(huì)。
下載資源，填寫完整信息，并注冊成為與非網(wǎng)會(huì)員，還有機(jī)會(huì)獲得30元卓越禮品卡，數(shù)量50張。

用2600系列數(shù)字源表進(jìn)行 IDDQ測試和待機(jī)電流測試

基于實(shí)驗(yàn)室自動(dòng)化的ACS集成測試系統(tǒng)

面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時(shí)V TH 測量

基于高吞吐率WLR測試的ACS集成測試系統(tǒng)

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