国产三级全黄不卡不卡,15

確保更精確的高電阻測量

[摘要] 高電阻測量已成為多種測試應用的組成部分，包括印制電路板的表面電阻（SIR）測試、絕緣材料和半導體的電阻率測量、高歐姆值電阻的電壓系數(shù)測試等。確保高電阻測量（即高于1GΩ [10P9P歐姆]的電阻）的精度需要使用大量的特殊技術和儀器，例如靜電計、源測量單元（SMU）、或皮可安培計/電壓源組合。靜電計可以采用恒壓或恒流的方法測量高電阻。

資源類型：pdf

資源大小：203.8KB

所屬分類：微弱信號與源測量

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面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時V TH 測量

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[摘要]隨著器件繼續(xù)小型化，半導體器件可靠性測試以及器件壽命預測面臨極大挑戰(zhàn)。由于新材料和新工藝的復雜性增大，器件失效的隨機性也在增加。這需要產(chǎn)生更大的統(tǒng)計樣本測試數(shù)據(jù)。雖然傳統(tǒng)的應力-開關-測量可靠性測試技術能實現(xiàn)龐大數(shù)量的器件測試，但這種方法可能存在問題。使用TDDB，工程師需要監(jiān)測軟擊穿和漸進式擊穿。采用NBTI，必須最小化器件弛豫并以極快的速度完成測量。在測試單個器件的層面上，某些問題還是可控的，但在實際時間段內順序測試單個器件不能提供大量的統(tǒng)計樣本數(shù)據(jù)。

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[摘要]測試成本被視為未來先進半導體的首要挑戰(zhàn)。對測試成本和測試系統(tǒng)購置成本影響最大的是測試系統(tǒng)吞吐量。不論什么具體應用，并行測試都最大程度改善了晶圓上測試的吞吐量公式。這是因為大部分開銷用在了移動探針或者將探針重新定位至下一個測試站點。開銷包括了探測器和耗材（例如探針卡）的成本和維護。最重要的是如何最大程度利用這些投入。提高測試儀的吞吐量能顯著降低測試成本，縮短產(chǎn)品面市時間。

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