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納米測試技術的新挑戰(zhàn)

[摘要] 要想掌握新的組件材料如納米晶體、納米管、納米線和納米光線在未來電子器件中的行為特征，需要能夠在很寬范圍內(nèi)進行電阻和電導率特征分析的測試儀器。這常常需要測量很小的電流和電壓。

資源類型：pdf

資源大?。?/span>368.9KB

所屬分類：微弱信號與源測量

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用2600系列數(shù)字源表進行 IDDQ測試和待機電流測試

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[摘要]CMOS集成電路（CMOS IC）和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測量靜態(tài)（或“待機”）電源電流用于驗證生產(chǎn)測試質量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測量過程被稱為IDDQ測試。此測試要求在IC處于靜態(tài)條件下測量VDD電源電流。測試的目的是檢查柵氧化層短路及可能隨時間導致IC失效的其它缺陷。同樣地，帶有雙極晶體管的電池供電產(chǎn)品或其它IC的電源電流也可以在靜態(tài)模式下測量。這些產(chǎn)品類型包括便攜式電池供電的消費性電子產(chǎn)品，以及可植入的醫(yī)療設備，例如心臟起搏器和除顫器。這些測試的目標是在給定電池充電

基于實驗室自動化的ACS集成測試系統(tǒng)

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[摘要]隨著面市時間和測試成本的壓力增大，需要繼續(xù)仔細檢查工具利用率和測試工程師的生產(chǎn)率。提高自動化水平是一種改善資源分配常規(guī)方法。從手動探測器的單管芯測試到半自動探測器的單晶圓測試的這一過程自然會通向自動探測器的全晶匣檢測。在過去，使用精密、靈活的實驗室工具但不購買BEOL生產(chǎn)測試儀的條件下執(zhí)行此類測試非常困難。這類測試通常包含大量定制代碼和專用測試臺并且需要訓練有素的工程師運行設備。吉時利有這種方案。通過結合吉時利的自動特性分析套件（ACS）軟件和4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)，您將獲得兩者的優(yōu)點——實驗

面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時V TH 測量

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[摘要]在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術中對偏壓溫度不穩(wěn)定性——負偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）和正偏壓溫度不穩(wěn)定性（PBTI）——監(jiān)測和控制的需求不斷增加。當前 NBTI1 的JEDEC標準將“測量間歇期的NBTI恢復”視為促進可靠性研究人員不斷完善測試技術的關鍵。簡單來說，當撤銷器件應力時，這種性能的劣化就開始“愈合”。這意味著慢間歇期測量得出的壽命預測結果將過于樂觀。因此，劣化特性分析得越快，（劣化）恢復對壽命預測的影響越小。此外，實驗數(shù)據(jù)顯示被測的劣化時間斜率（n）很大程度取決于測量時延和測量速度。因此

基于高吞吐率WLR測試的ACS集成測試系統(tǒng)

上傳時間：2012/09/05資源大?。?.03MB

[摘要]隨著器件繼續(xù)小型化，半導體器件可靠性測試以及器件壽命預測面臨極大挑戰(zhàn)。由于新材料和新工藝的復雜性增大，器件失效的隨機性也在增加。這需要產(chǎn)生更大的統(tǒng)計樣本測試數(shù)據(jù)。雖然傳統(tǒng)的應力-開關-測量可靠性測試技術能實現(xiàn)龐大數(shù)量的器件測試，但這種方法可能存在問題。使用TDDB，工程師需要監(jiān)測軟擊穿和漸進式擊穿。采用NBTI，必須最小化器件弛豫并以極快的速度完成測量。在測試單個器件的層面上，某些問題還是可控的，但在實際時間段內(nèi)順序測試單個器件不能提供大量的統(tǒng)計樣本數(shù)據(jù)。

用于多站點并行測試的ACS集成測試系統(tǒng)

上傳時間：2012/09/05資源大?。?.09MB

[摘要]測試成本被視為未來先進半導體的首要挑戰(zhàn)。對測試成本和測試系統(tǒng)購置成本影響最大的是測試系統(tǒng)吞吐量。不論什么具體應用，并行測試都最大程度改善了晶圓上測試的吞吐量公式。這是因為大部分開銷用在了移動探針或者將探針重新定位至下一個測試站點。開銷包括了探測器和耗材（例如探針卡）的成本和維護。最重要的是如何最大程度利用這些投入。提高測試儀的吞吐量能顯著降低測試成本，縮短產(chǎn)品面市時間。

獎品

吉時利內(nèi)容豐富的全新CD《掌握當今半導體器件的測量方法》，該CD含有關于半導體器件測試和測量方法的十幾期在線研討會。
下載資源，填寫完整信息，并注冊成為與非網(wǎng)會員，還有機會獲得30元卓越禮品卡，數(shù)量50張。

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