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CMP 建模的機(jī)器學(xué)習(xí)方法
[摘要]

大多數(shù) IC 制造商使用 CMP 建模來(lái)檢測(cè)潛在弱點(diǎn)，作為其 DFM 流程的一部分。然而，為 FCVD 和 eHARP CMP 工藝構(gòu)建基于物理特性的模型或簡(jiǎn)化模型實(shí)際上很困難，因?yàn)檫@些工藝包含若干沉積和退火步驟以填充溝槽。實(shí)驗(yàn)表明，利用機(jī)器學(xué)習(xí)和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)對(duì)這些及其他 CMP 工藝進(jìn)行氧化物沉積輪廓建模是該技術(shù)的一個(gè)很有前景且令人激動(dòng)的應(yīng)用
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