CMOS 縮放并未就此終止，隨著我們控制制造能力的提高，我們可以看到它還在持續(xù)進(jìn)步。我們與其說受到物理?xiàng)l件的限制，不如說受到我們以高精度大批量制造的能力的限制……[查看全文]

隨著摩爾定律推進(jìn)并達(dá)到物理極限，下一個(gè)運(yùn)算時(shí)代需要新的技術(shù)突破，并將由以下五大因素來綜合驅(qū)動(dòng)--新的芯片架構(gòu)、芯片內(nèi)的新結(jié)構(gòu)、新型材料、新的芯片尺寸縮小方法……[查看全文]

由于器件尺寸和布線面積尺寸的縮小，EDA流程中產(chǎn)生了新的復(fù)雜性。 挑戰(zhàn)可分為兩方面：第一，電氣特性挑戰(zhàn)涉及下一代FinFET器件在較低電壓下物理行為的處理，器件的精確建模和互連延遲，以及金屬層電阻特性的增加；第二，物理特性挑戰(zhàn)涉及導(dǎo)線尺寸，電源網(wǎng)絡(luò)布線和設(shè)計(jì)規(guī)則，復(fù)雜著色和圖案化要求……[查看全文]

格芯宣布退出7nm及以下工藝競(jìng)賽的決定，讓業(yè)界對(duì)摩爾定律的質(zhì)疑聲更大。隨著芯片成本越來越高，晶體管密度提升幅度也越來越小……[查看全文]